第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。

403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時從合約價先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價格就可看出，現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機(jī)的需求尚未有復(fù)蘇跡象，買方在手庫存逐漸增高，又以PC OEM為最。同時，DRAM及NAND Flash至今已分別續(xù)漲2~3個季度，買方再接受大幅漲價的意愿消退。

403震后，市場零星傳出有PC OEM供應(yīng)商出于特殊考量，接受高昂的DRAM及NAND Flash合約價漲幅，但僅是零星成交情況。至4月下旬，相關(guān)業(yè)者陸續(xù)完成新一輪合約價議價后，漲幅較原先預(yù)期擴(kuò)大，推動TrendForce集邦咨詢同步上修第二季DRAM、NAND Flash合約價漲幅，除了反映買方欲支撐在手庫存的價值，關(guān)鍵更包含供需兩端對AI市場展望的考量。

TrendForce集邦咨詢表示，由于原廠擔(dān)憂后續(xù)出現(xiàn)HBM產(chǎn)能排擠效應(yīng)，以三星（Samsung）來看，HBM3e產(chǎn)品采用1alpha制程節(jié)點(diǎn)，至2024年底將占用1alpha制程產(chǎn)能約六成，進(jìn)一步排擠DDR5供給量，尤其以第三季HBM3e生產(chǎn)即將放量的時間點(diǎn)影響最大，經(jīng)評估后買方轉(zhuǎn)而愿意第二季提前備貨，應(yīng)對第三季起可能出現(xiàn)HBM供應(yīng)短缺。

同時，隨著節(jié)能成為AI推理服務(wù)器（AI Inference Server）優(yōu)先考量，北美云端服務(wù)業(yè)者（CSP）擴(kuò)大采用QLC Enterprise SSD作為存儲的解決方案，帶動QLC Enterprise SSD需求，并加速部分供應(yīng)商的庫存去化，推動部分供應(yīng)商出現(xiàn)惜售心態(tài)。值得注意的是，受限于消費(fèi)性產(chǎn)品需求復(fù)蘇情況不明朗，故原廠普遍對于非HBM晶圓產(chǎn)能的資本支出趨于保守，尤其是價格仍處于損益平衡點(diǎn)的NAND Flash。