利用帶隙電壓參考電路進(jìn)行銅應(yīng)力測(cè)量的新方法

圖6(a)和6(b)分別說明每個(gè)晶圓退火前后MaxBowXY和過壓及帶隙參考電壓的對(duì)比情況。MaxBowXY從圖6(a)到圖6(b)的增加是因?yàn)镃u再結(jié)晶導(dǎo)致拉伸應(yīng)力。當(dāng)MaxBowXY增加時(shí)帶隙參考電壓和過壓值降低是因?yàn)楹馛u層在電路上施加應(yīng)力。從圖6(a)和6(b)中，我們可以看到過壓和帶隙參考電壓有更線性的匹配，正如其他文獻(xiàn)所述。

如圖7所示，當(dāng)我們探究晶圓均勻性時(shí)，我們可以看到晶圓最外側(cè)邊緣的帶隙參考電壓最低(紅色)，而該區(qū)域具有更高的拉伸應(yīng)力(參見圖8)。在圖7中，從晶圓中心壓縮(負(fù))到外緣拉伸(正)的應(yīng)力梯度與圖8中晶圓中心帶隙參考?jí)毫ψ畲蟮酵饩墡秴⒖級(jí)毫ψ畹兔芮嘘P(guān)聯(lián)。由于每個(gè)晶圓要進(jìn)行1200個(gè)晶粒測(cè)量，Cu應(yīng)力測(cè)量方法的分辨率遠(yuǎn)高于晶圓彎曲度測(cè)量方法(每個(gè)晶圓測(cè)量37個(gè)點(diǎn))。

此外，晶圓彎曲度測(cè)量只是在特定工藝步驟的即時(shí)應(yīng)力監(jiān)控方面更為準(zhǔn)確。而施加到器件上的累積性應(yīng)力則難以監(jiān)測(cè)，而新方法則可提供累積性應(yīng)力測(cè)量結(jié)果。

圖6：退火前(a)和退火后(b)MaxBowXY與過壓的對(duì)比(左軸)以及MaxBowXY與帶隙參考電壓的對(duì)比(右軸)

圖7：退火后晶圓均勻性輪廓圖(測(cè)量1200個(gè)晶粒的帶隙參考電壓)

圖8：退火后晶圓均勻性輪廓圖(37個(gè)局部測(cè)量點(diǎn))

4 結(jié)論

在本文中，我們闡述了一種測(cè)量Cu薄膜應(yīng)力的新方法——利用具備帶隙參考電壓并具備過壓功能的特殊設(shè)計(jì)芯片。通過這種方法，我們能夠確定Cu應(yīng)力行為在后端集成方案中的敏感性。

總而言之，這種方法可以擴(kuò)展用于任何具有拉伸應(yīng)力或壓縮應(yīng)力的薄膜類型，以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體制造工藝監(jiān)控。借助帶隙參考電壓電路的特殊設(shè)計(jì)，能夠監(jiān)控BEOL集成中的應(yīng)力預(yù)算。