新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計應(yīng)用 > CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計

CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計

作者: 時間:2012-06-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

j.JPG


由圖3(a)(b)(c)(d)可知,在器設(shè)計為三級反相器鏈的情況下,器的上升時間tr=17.6 ns,tf=16 ns,td=15.84 ns。
2)把器設(shè)計為五級反相器鏈,如圖4所示。
圖4中各個PMOS管和NMOS管的尺寸分別為(取S=2.72)。

k.JPG


則同樣通過HSPICE仿真軟件,在0.6μm CSMC 2P2M庫下的仿真結(jié)果為(負(fù)載為100 pF電容,1 kΩ電阻)。如圖5(a)(b)(c)(d)所示,主要考慮仿真結(jié)果中的反向器鏈的上升時間tr、下降時間tf、上升延遲和下降延遲td。

電能表相關(guān)文章:電能表原理


評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉