兩種高效能電源設(shè)計(jì)及拓?fù)浞治?/h1>
電源在降低功耗上舉足輕重,因此面對(duì)法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)和消費(fèi)者的更高要求時(shí),重新檢討其設(shè)計(jì)方式就顯得非常急迫。雖然可以改進(jìn)傳統(tǒng)的高效能要求,但可以明顯地看出,沿用舊式設(shè)計(jì)方式的產(chǎn)品,其性價(jià)比將會(huì)低。在本文中,我們將提出兩個(gè)能符合更高效能要求,并可控制目標(biāo)成本的設(shè)計(jì)方式,并將之和傳統(tǒng)的http://m.butianyuan.cn/article/178182.htm
傳統(tǒng)的電源時(shí)多以成本,設(shè)計(jì)工程師對(duì)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的熟悉度以及元件是否容易采購為考慮因素,其他因素還包括設(shè)計(jì)是否容易實(shí)
現(xiàn)和設(shè)計(jì)方式是否在電源產(chǎn)業(yè)鏈中為大家所熟知等。
較受歡迎的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方式主要為單開關(guān)正向、雙開關(guān)正向和半橋結(jié)構(gòu),這些結(jié)構(gòu)提供了滿足目前需求的穩(wěn)固解決方案。不過如上所述,新興的標(biāo)準(zhǔn)需要電源能夠達(dá)成比先前更高的效能。過去,典型的臺(tái)式電腦電源可以達(dá)到60%~70%的最高效能,但現(xiàn)在則要求電源在額定負(fù)載的20%、50%和100%時(shí)都能達(dá)到最低80%的效能。同時(shí),最近更出現(xiàn)了希望能夠在低于20%負(fù)載時(shí)達(dá)到70%或以上效能的趨勢(shì),且待機(jī)功耗能夠持續(xù)下降。我們將探討三種傳統(tǒng)拓?fù)涞膬?yōu)缺點(diǎn),并介紹兩種新型的拓?fù)洹?/p>
1 單開關(guān)正向
圖1中的這個(gè)拓?fù)湎喈?dāng)受到歡迎,主要原因是元件數(shù)少且設(shè)計(jì)要求簡單,但對(duì)于不同負(fù)載情況的高效能要求卻為這個(gè)拓?fù)鋷硇绿魬?zhàn)。在接近滿載或滿載時(shí),這個(gè)拓?fù)涞男苁艿?0%占空比的限制。而在較輕負(fù)載時(shí),開關(guān)耗損是造成效能不佳的主要原因。許多較新的設(shè)計(jì)采用功率因數(shù)校正(PFC)前端來降低諧波電流,在400 V的PFC輸出電壓下,單開關(guān)正向方式被迫使用大于900 V的開關(guān),提高了FET的成本。
圖1 單開關(guān)正向拓補(bǔ)
2 雙開關(guān)正向
圖2是另一個(gè)使用相當(dāng)普遍的拓?fù)?,它是解決開關(guān)電壓限制問題的升級(jí)版本。這依舊是一個(gè)會(huì)有高開關(guān)耗損的硬開關(guān)電路。其所帶來的問題是需要使用門極驅(qū)動(dòng)變壓器或芯片驅(qū)動(dòng)電路來推動(dòng)高電壓端MOSFET。
圖2 雙開關(guān)正向拓補(bǔ)
電源在降低功耗上舉足輕重,因此面對(duì)法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)和消費(fèi)者的更高要求時(shí),重新檢討其設(shè)計(jì)方式就顯得非常急迫。雖然可以改進(jìn)傳統(tǒng)的高效能要求,但可以明顯地看出,沿用舊式設(shè)計(jì)方式的產(chǎn)品,其性價(jià)比將會(huì)低。在本文中,我們將提出兩個(gè)能符合更高效能要求,并可控制目標(biāo)成本的設(shè)計(jì)方式,并將之和傳統(tǒng)的http://m.butianyuan.cn/article/178182.htm
傳統(tǒng)的電源時(shí)多以成本,設(shè)計(jì)工程師對(duì)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的熟悉度以及元件是否容易采購為考慮因素,其他因素還包括設(shè)計(jì)是否容易實(shí)
現(xiàn)和設(shè)計(jì)方式是否在電源產(chǎn)業(yè)鏈中為大家所熟知等。
較受歡迎的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方式主要為單開關(guān)正向、雙開關(guān)正向和半橋結(jié)構(gòu),這些結(jié)構(gòu)提供了滿足目前需求的穩(wěn)固解決方案。不過如上所述,新興的標(biāo)準(zhǔn)需要電源能夠達(dá)成比先前更高的效能。過去,典型的臺(tái)式電腦電源可以達(dá)到60%~70%的最高效能,但現(xiàn)在則要求電源在額定負(fù)載的20%、50%和100%時(shí)都能達(dá)到最低80%的效能。同時(shí),最近更出現(xiàn)了希望能夠在低于20%負(fù)載時(shí)達(dá)到70%或以上效能的趨勢(shì),且待機(jī)功耗能夠持續(xù)下降。我們將探討三種傳統(tǒng)拓?fù)涞膬?yōu)缺點(diǎn),并介紹兩種新型的拓?fù)洹?/p>
1 單開關(guān)正向
圖1中的這個(gè)拓?fù)湎喈?dāng)受到歡迎,主要原因是元件數(shù)少且設(shè)計(jì)要求簡單,但對(duì)于不同負(fù)載情況的高效能要求卻為這個(gè)拓?fù)鋷硇绿魬?zhàn)。在接近滿載或滿載時(shí),這個(gè)拓?fù)涞男苁艿?0%占空比的限制。而在較輕負(fù)載時(shí),開關(guān)耗損是造成效能不佳的主要原因。許多較新的設(shè)計(jì)采用功率因數(shù)校正(PFC)前端來降低諧波電流,在400 V的PFC輸出電壓下,單開關(guān)正向方式被迫使用大于900 V的開關(guān),提高了FET的成本。
圖1 單開關(guān)正向拓補(bǔ)
2 雙開關(guān)正向
圖2是另一個(gè)使用相當(dāng)普遍的拓?fù)?,它是解決開關(guān)電壓限制問題的升級(jí)版本。這依舊是一個(gè)會(huì)有高開關(guān)耗損的硬開關(guān)電路。其所帶來的問題是需要使用門極驅(qū)動(dòng)變壓器或芯片驅(qū)動(dòng)電路來推動(dòng)高電壓端MOSFET。
圖2 雙開關(guān)正向拓補(bǔ)
評(píng)論