基于PC40EE25的開關(guān)隔離電源設(shè)計(jì)
2 控制電路的設(shè)計(jì)
本設(shè)計(jì)采用SG*1高集成環(huán)保模式PWM控制器, 該控制器采用電流模式(逐周期電流限制)的工作方式, 可以實(shí)現(xiàn)軟驅(qū)動圖騰柱輸出的可調(diào)控的PWM波形, 其輸出電壓可達(dá)18 V, 足以同時(shí)驅(qū)動兩路MOSFET。本設(shè)計(jì)還在PWM輸出端設(shè)計(jì)了一個(gè)信號耦合變壓器, 這樣可用同一個(gè)PWM信號來控制兩個(gè)MOSFET, 使Q1和Q2同時(shí)開通和關(guān)斷, 還可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動MOSFET信號的隔離。另外,該控制器也可以提供欠壓鎖定和過溫保護(hù)功能,當(dāng)VDD小于10 V時(shí), 控制器內(nèi)部將鎖定, 不再向外發(fā)送PWM波。
本設(shè)計(jì)采用負(fù)載繞組給控制芯片SG*1供電, 從主電路可知, 輔助繞組和次級繞組處在相同的工作方式下, 這在設(shè)計(jì)變壓器的時(shí)候只要根據(jù)次級輸出就可以確定輔助繞組的設(shè)計(jì)。應(yīng)當(dāng)注意的是, 在雙管反激電路中, 兩個(gè)開關(guān)管中間有一個(gè)懸浮地, 因而不能直接驅(qū)動, 所以, 這里采用變壓器隔離驅(qū)動方法來使VT1和VT2公用同一驅(qū)動信號。
圖3所示是本設(shè)計(jì)的控制芯片電路及驅(qū)動電路, 圖中, R3接在直流電壓DC端主要用來啟動,當(dāng)流入3腳的電流足夠啟動芯片的時(shí)候, 芯片8腳Gate輸出PWM波, 從而使主電路導(dǎo)通, 電源開始工作。R4主要確定芯片輸出PWM波的頻率, R5和C5組成電流采樣的匹配網(wǎng)路。由于芯片采用逐周峰值電流工作方式, 故在初級線圈電流達(dá)到峰值時(shí), 芯片將關(guān)斷PWM波, 變壓器向次級傳送能量。
圖3 控制芯片電路及驅(qū)動電路
圖4所示是其系統(tǒng)中的輸入欠壓和輸出過壓保護(hù)電路。由于本開關(guān)電源設(shè)計(jì)采用了輸入過壓和輸入欠壓保護(hù), 故當(dāng)輸入高于750 V或低于120V時(shí), 比較器的2腳電壓值會高于2.5 V或比較器的5腳會低于2.5 V, 本設(shè)計(jì)采用精密可調(diào)線性穩(wěn)壓器TL431來產(chǎn)生2.5 V的基準(zhǔn)源, 并分別給比較器的3腳和6腳供電, 這樣, 在比較器的1腳或7腳就會產(chǎn)生低電平, Q5由于基級電壓過低而截止,線性光耦U5的發(fā)光二極管不能發(fā)光。這時(shí), 由于Q4S接到輸出儲能電容上, Q4G和Q4S不能組成通路, 所以, 加在Q4管的GS間的電壓Ugs為零, 開關(guān)管Q4關(guān)斷, 電源不能向后面負(fù)載供電, 從而實(shí)現(xiàn)欠壓和過壓保護(hù)功能。
圖4 輸入欠壓和輸出過壓保護(hù)電路
3 電路變壓器的設(shè)計(jì)
采用兩個(gè)開關(guān)管串聯(lián)不會影響主電路中變壓器的設(shè)計(jì), 故可根據(jù)《開關(guān)電源設(shè)計(jì)指南》中相關(guān)介紹來計(jì)算變壓器參數(shù), 本設(shè)計(jì)選用TDK公司的PC40EE25高頻磁性材料作為鐵芯, 變壓器的參數(shù)計(jì)算如下:
初級線圈的峰值電流:
變壓器的有效功率:
式中, Ac為有效磁芯面積, 單位為cm2, Bmax為最大磁通密度, 單位為G (高斯Wb/cm2)。
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