常規(guī)驅(qū)動與保護電路圖解
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如圖4所示:圖中D4選用高頻低壓降肖特基管,用于V1的抗過飽,減小存儲時間提高關(guān)斷速度.D2用超快恢復二極管.其工作原理:C1對開通瞬間不能突變,有兩個作用:一是方波高于ZW穩(wěn)壓值使V1基極偏置而導通,經(jīng)R5與D3對FET驅(qū)動導通后漏極處低電平D2導通箝位,V1的偏置回路維持導通,電容C1始終處于低電平.當發(fā)生過流時,VDS迅速上升,ZW低于穩(wěn)壓值將失去導通回路V1將截止.二是R3與C1形成積分延時,并且C1可通過R3在負半周的負電位而更加可靠地開通V1.
3.3增加軟關(guān)斷技術(shù)的驅(qū)動保護電路
對于IGBT器件增加軟關(guān)斷技術(shù)的電路如圖5所示:
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