隔離式低壓/大電流輸出DC/DC變換器中幾種副邊整流電路的比較

②全波整流拓?fù)渫ǔＥc圖11(b)、(c)、(d)對(duì)隔離式低壓/大電流輸出DC/DC變換器中幾種副邊整流電路的比較備注：m：作為同步整流管使用的MOSFET并聯(lián)數(shù)目；Rds(on)：MOSFET導(dǎo)通電阻；

＊：根據(jù)不同的復(fù)位方法，有些拓?fù)淇梢怨ぷ髟贒>0.5，但一般折衷優(yōu)化考慮D0.5；

＊＊：假定所有的副邊繞組均為單匝，括號(hào)內(nèi)數(shù)為采用磁集成技術(shù)后的數(shù)量；

＊＊＊：假定全波整流拓?fù)渲校瑑蓚€(gè)副邊繞組的中間連接在繞組內(nèi)部完成，括號(hào)內(nèi)的數(shù)為采用磁集成技術(shù)后的數(shù)量；

圖11幾種原邊拓?fù)?p>(a)有源鉗位（b)對(duì)稱半橋(c)推挽(d)全橋

＊＊＊＊：副邊應(yīng)用同步整流的半波整流方式可以與采用不同復(fù)位方法的正激拓?fù)浣Y(jié)合使用，如RCD復(fù)位、諧振式復(fù)位等。

應(yīng)的推挽、對(duì)稱半橋、全橋拓?fù)湎嘟Y(jié)合，從而獲得正負(fù)對(duì)稱的副邊電壓。

③倍流整流拓?fù)湮墨I(xiàn)[13]給出正激拓?fù)渑c倍流整流拓?fù)浣Y(jié)合使用的拓?fù)湫问?mdash;正－反激電路，這種電路在原邊主管關(guān)斷，輔管處于通態(tài)時(shí)，變壓器作為能量源，磁化電流高達(dá)IO/2反映到原邊值（IO代表負(fù)載電流），增加了原邊開(kāi)關(guān)的電流應(yīng)力和損耗，變壓器設(shè)計(jì)也相對(duì)復(fù)雜。基于以上考慮，本篇未對(duì)這一拓?fù)溥M(jìn)行對(duì)比選擇。

在低壓/大電流輸出場(chǎng)合，推挽、對(duì)稱半橋、全橋這些對(duì)稱的原邊拓?fù)洌容^適合與倍流整流拓?fù)浣Y(jié)合使用。

在這三種拓?fù)渲校葪l件下，全橋原邊功率管的電流應(yīng)力和電壓應(yīng)力最低；半橋拓?fù)湓吂β使艿碾娏鲬?yīng)力是全橋的兩倍，電壓應(yīng)力與全橋相等；推挽拓?fù)湓吂β使艿碾妷簯?yīng)力是全橋的兩倍（推挽常因存在漏感問(wèn)題，使得實(shí)際電壓應(yīng)力高于兩倍輸入電壓），電流應(yīng)力與全橋相等。所以可以推知：今后低壓/大電流輸出DC/DC變換器，對(duì)于12V和48V的推薦總線電壓，推挽拓?fù)涓m合于12V總線輸入；而半橋更適合于48V總線輸入；全橋拓?fù)浼嬗泄β使茈娏鲬?yīng)力低和電壓應(yīng)力低的優(yōu)點(diǎn)，但全橋拓?fù)淦骷?shù)量相對(duì)較多，因而從器件數(shù)和整體的簡(jiǎn)單性這一角度出發(fā)，全橋并非最好的選擇。但隨著高頻化的發(fā)展趨勢(shì)，為提高變換效率，必然要求實(shí)現(xiàn)原邊功率管的軟開(kāi)關(guān)，而全橋移相PWMDC/DC變換器則很容易實(shí)現(xiàn)主管ZVS的要求，因此在高頻、低壓/大電流輸出DC/DC變換器中，全橋拓?fù)淙圆皇檩^好的選擇。

以上對(duì)三種整流電路進(jìn)行了詳細(xì)的比較，這里把相關(guān)內(nèi)容作一小結(jié)，如表1所列。

4結(jié)語(yǔ)

本文針對(duì)隔離式低壓/大電流輸出DC/DC變換器的應(yīng)用場(chǎng)合，對(duì)副邊半波整流、全波整流、倍流整流三種整流方式進(jìn)行了詳盡的分析比較，指出各自的優(yōu)缺點(diǎn)和應(yīng)用指導(dǎo)，并得出結(jié)論：結(jié)合磁集成技術(shù)和同步整流技術(shù)的倍流整流拓?fù)洌貏e適用于隔離式低