高壓MOS/IGBT的短路保護電路設計

帶短路保護鎖定的驅動的3腳為短路信號檢測入端;2腳為驅動地;1腳為驅動輸出。

　　當電路存在短路的時候流過MOS的電流很大在S極電阻兩端產生的壓降導致三極管由截止進入導通(當然導到什么程度具體跟MOS的跨導有關系)，因此驅動電阻上面有壓降，MOS進入放大區(qū)。這個時候高電壓不會通過MOS進行強電流放電，因而芯片不會有局部過熱的可能，在很短的時間內保護電路檢測到短路存在關閉并鎖定驅動電壓輸出，MOS僅承受了動作時間內的恒流功率損耗，安全性得到了很大提高。

　　此電路僅作為理解原理使用具體參數(shù)看實際工況選取。

　　S級的電阻是根據(jù)你選定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)選定的,至于跨導這個不是主要因數(shù);這里三極管并不工作在開關狀態(tài)他只是根據(jù)MOS的瞬態(tài)電流值調整MOS的驅動電壓,保證在短路出現(xiàn)的時候IDM不至于超出安全工作范圍,這個時候由于在1US甚至更短的時間內驅動已經被關斷并鎖定,所以不存在過功損耗.三極管的反映時間越快越好.其實這個電路是電流負反饋電路演變過來的.電路如下: