HBM4將迎來大突破？

AI大勢下，高帶寬內(nèi)存 (HBM) 從幕后走向臺前，備受存儲市場關注。近期，媒體報道下一代HBM將迎來重大變化，HBM4內(nèi)存堆棧將采用2048位內(nèi)存接口 。

自2015年以來，所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見HBM4具備的變革意義。

另據(jù)韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術，預計2026年量產(chǎn)HBM4。

盡管HBM4將有大突破，但它不會很快到來。當前HBM市場以HBM2e為主，未來HBM3將挑起大梁。

全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，當前HBM市場主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設計。同時，為順應AI加速器芯片需求演進，各原廠計劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e，預期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。

以HBM不同世代需求比重而言，據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預估達60%，且受惠于其更高的平均銷售單價（ASP），將帶動明年HBM營收顯著成長。