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臺積電2027年推出超大版CoWoS封裝，可放置12個HBM4堆棧

  • 據媒體報道，日前，臺積電11月歐洲開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇上宣布，其有望在2027年認證超大版本的CoWoS（晶圓上芯片）封裝技術，該技術將提供高達9個掩模尺寸的中介層尺寸和12個HBM4內存堆棧，推測它將在2027年至2028年被超高端AI處理器采用。據悉，這一全新封裝方法將解決性能要求最高的應用，并讓AI（人工智能）和HPC（高性能計算）芯片設計人員能夠構建手掌大小的處理器。報道稱，完全希望采用臺積電先進封裝方法的公司也能使用其系統(tǒng)級集成芯片（SoIC）先進封裝技術垂直堆疊其邏輯，以進一步提高晶體管
  • 關鍵字： 臺積電  CoWoS  HBM4  

英偉達、臺積電和 SK 海力士深化三角聯(lián)盟：HBM4 內存2026年量產

  • 7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報道，英偉達、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯(lián)盟”，為迎接 AI 時代共同推進 HBM4 等下一代技術。SEMI 計劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動（其影響力可以認為是半導體行業(yè)的 CES 大展），包括臺積電在內的 1000 多家公司將展示最新的半導體設備和技術，促進了合作與創(chuàng)新。預計這次會議的主要焦點是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內存，它將開啟市場的新紀元。IT之家援引該媒體報道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
  • 關鍵字： 英偉達  臺積電  SK  海力士深  HBM4  內存  

傳ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設備

  • 據韓媒報道，韓國后端設備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內存 (HBM) 生產的演示熱壓 (TC) 鍵合機。雙方已開始聯(lián)合開發(fā)下一代鍵合機，用于HBM4生產。根據報道，美光還從日本新川半導體和韓美半導體采購TC鍵合機，用于生產HBM3E，于今年4月向韓美半導體提供了價值226億韓元的TC Bonder采購訂單。據透露，美光正在使用熱壓非導電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會在下一代產品 HBM4 中采用。HBM4 16H產品正在考慮使用混合鍵合。此外，目前美光最大的
  • 關鍵字： ASMPT  美光  HBM4  

HBM4技術競賽，進入白熱化

  • HBM（HighBandwidth Memory，高帶寬內存）是一款新型的 CPU/GPU 內存芯片，其實就是將很多個 DDR 芯片堆疊在一起后和 GPU 封裝在一起，實現大容量，高位寬的 DDR 組合陣列。該內存技術突破了內存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代 DRAM 解決方案，也契合了半導體技術小型化、集成化的發(fā)展趨勢。過去 10 年里，HBM 技術性能不斷升級迭代，已經成為高性能計算領域重要的技術基石之一。2023 年初以來，以 ChatGPT 為代表的 AI 大模型催生了巨量的算力需求，使 HBM 成
  • 關鍵字： HBM4  

NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU：3nm工藝配下代HBM4內存

  • 6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規(guī)劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅持數據中心規(guī)模、一年節(jié)奏、技術限制、一個架構的路線，也就是使用統(tǒng)一架構覆蓋整個數據中心GPU產品線，并最新最強的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現有的高性能GPU架構代號"Blackwell"，已經投產，相關產品今年陸續(xù)上市，包括用于HPC/AI領域的B200/GB200、用于游
  • 關鍵字： NVIDIA  Rubin  GPU  Vera CPU  3nm工藝  HBM4  內存  

這一次，三星被臺積電卡脖子了

  • 在晶圓代工領域，三星與臺積電是純粹的競爭關系，但在存儲芯片市場，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺積電深入合作，這都是英偉達惹的禍。據 DigiTimes 報道，三星 HBM3E 內存尚未通過英偉達的測試，仍需要進一步驗證，這是因為卡在了臺積電的審批環(huán)節(jié)。作為英偉達 AI GPU 芯片的制造和封裝廠，臺積電是英偉達驗證環(huán)節(jié)的重要參與者。據悉，臺積電采用的是基于 SK 海力士 HBM3E 產品設定的檢測標準，而三星的 HBM3E 產品在制造工藝上有些差異，例如，SK 海力士芯片封裝環(huán)節(jié)采用了 MR-MUF
  • 關鍵字： HBM3E  HBM4  

臺積電準備推出基于12和5nm工藝節(jié)點的下一代HBM4基礎芯片

  • 在 HBM4 內存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內存接口的寬度。隨著第四代內存標準從已經很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內存堆棧將不會像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現在更先進的封裝方法，以適應更寬的內存。作為 2024 年歐洲技術研討會演講的一部分，臺積電提供了一些有關其將為 HBM4 制造的基礎模具的新細節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項任務，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據有
  • 關鍵字： 臺積電  12nm  5nm  工藝  HBM4  基礎芯片  

顛覆性的HBM4

  • 一位業(yè)內人士表示，「『半導體游戲規(guī)則』可能在 10 年內改變，區(qū)別存儲半導體和邏輯半導體可能變得毫無意義」。HBM4，魅力為何如此？技術的突破2023 年，在 AI 技術應用的推動下，數據呈現出爆炸式的增長，大幅度推升了算力需求。據悉，在 AI 大模型領域，未來 AI 服務器的主要需求將從訓練側向推理側傾斜。而根據 IDC 的預測，到 2026 年，AIGC 的算力 62.2% 將作用于模型推理。同時，預計到 2025 年，智能算力需求將達到當前的 100 倍。據悉，自 2015 年以來，從 HBM1 到
  • 關鍵字： HBM4  

存儲器大廠：HBM4，2025年供貨！

  • 人工智能浪潮之下，HBM從幕后走向臺前，市場需求持續(xù)看漲。全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預測，2023年HBM需求量將年增58%，2024年有望再成長約30%。與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優(yōu)勢，可以加快AI數據處理速度，更適用于ChatGPT等高性能計算場景，因而備受青睞，存儲大廠也在積極推動HBM技術迭代。存儲大廠持續(xù)發(fā)力，三星將推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM產品問世至今，HBM技術已經更新迭代出多款產品，分別有HBM、HBM2、HBM2E、HB
  • 關鍵字： 存儲器  HBM4  

三星正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨

  • 三星電子日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨。據韓媒，三星電子副總裁兼內存業(yè)務部DRAM開發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨。他透露，三星電子還準備針對高溫熱特性優(yōu)化的NCF（非導電粘合膜）組裝技術和HCB（混合鍵合）技術，以應用于該產品。此外，三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務，公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業(yè)務團隊，以加強尖端封裝技術并最大限度地發(fā)揮業(yè)務部門之間的協(xié)同作用。
  • 關鍵字： 三星  HBM3E  HBM4  

HBM4將迎來大突破？

  • AI大勢下，高帶寬內存 (HBM) 從幕后走向臺前，備受存儲市場關注。近期，媒體報道下一代HBM將迎來重大變化，HBM4內存堆棧將采用2048位內存接口 。自2015年以來，所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見HBM4具備的變革意義。另據韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產品制程技術，預計2026年量產HBM4。盡管HBM4將有大突破，但它不會很快到來。當前HBM市場以HBM2e為主，未來HBM3將挑起大梁。全球市場研究機
  • 關鍵字： HBM4  

傳三星預計2026年量產新一代HBM4

  • 據韓媒報道，三星為了掌握快速成長的HBM市場，將大幅革新新一代產品制程技術，預計2026年量產新一代HBM產品，HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E，I/O接口數為每顆芯片1024個，擁有超過2000個以上I/O接口的HBM尚未問世。以HBM不同世代需求比重而言，據TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場需求將大幅轉往HBM3，而2024年將直接超越HBM2
  • 關鍵字： 三星  HBM4  
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