安森美半導(dǎo)體高能效計(jì)算機(jī)電源方案概覽及新品擷英
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時(shí)間：2011-01-18
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
提供更高能效的不同封裝MOSFET
臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器和筆記本等計(jì)算機(jī)應(yīng)用主要需要電壓不超過(guò)30 V的低壓MOSFET。安森美半導(dǎo)體為這些應(yīng)用提供豐富的N溝道及P溝道MOSFET選擇(詳見(jiàn)安森美半導(dǎo)體《計(jì)算機(jī)電源方案選型小冊(cè)子》)。這些MOSFET提供30 V、-30 V或25 V的漏極-源極電壓(VDS)，采用SO8-FL 5x6 mm、μ8FL 3.3x3.3 mm、DPAK、SOIC-8 5x6 mm或ICEPAK等不同封裝，為計(jì)算機(jī)電源應(yīng)用提供高能效。其中，采用ICEPAK封裝的MOSFET用于增加功率開(kāi)關(guān)的功率密度。
值得一提的是，安森美半導(dǎo)體新近針對(duì)計(jì)算機(jī)等應(yīng)用推出了帶集成肖特基二極管的30 V MOSFET產(chǎn)品，包括NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF。這些MOSFET采用緊湊型5 mm x 6 mm SO-8FL封裝，在10 V時(shí)分別擁有2 m、3 m及5 m的最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))值，針對(duì)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的同步端而優(yōu)化，達(dá)致更高電源能效。典型門(mén)電荷(在4.5 V門(mén)極-源極電壓(Vgs)時(shí))規(guī)格分別為39.6納庫(kù)侖(nC)、25.6 nC及12.2 nC，確保開(kāi)關(guān)損耗也保持最低。集成肖特基二極管借助于集成在與初級(jí)FET結(jié)構(gòu)相同的裸片中，減小死區(qū)時(shí)間導(dǎo)電損耗，因而提升能效及改善波形。
熱傳感器、風(fēng)扇控制器及系統(tǒng)監(jiān)控器
安森美半導(dǎo)體為計(jì)算機(jī)應(yīng)用提供完整選擇的遠(yuǎn)程熱傳感器、風(fēng)扇控制器及系統(tǒng)監(jiān)控器。其中，熱傳感器將溫度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為數(shù)字格式，并通過(guò)SMBus總線傳送這些數(shù)據(jù)信息。溫度設(shè)定點(diǎn)及極限也可能通過(guò)這總線來(lái)編程。溫度信息可以用于動(dòng)態(tài)控制風(fēng)扇速度、降低可聽(tīng)噪聲及能耗，并增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。先進(jìn)的系統(tǒng)監(jiān)控方案帶來(lái)電壓和電流監(jiān)測(cè)、電池檢測(cè)、閃存及GPIO功能，提供了全套系統(tǒng)狀況監(jiān)測(cè)及控制器。
這些計(jì)算機(jī)熱管理器件包括ADM1026/27/29/30/31、ADT7460/63/62/67/68/73/75/76、ADM1033/34/32、ADT7490/61A/21/81/82/83A/84A/85A/86A/88A、NCT75及NCT214等。
計(jì)算機(jī)高速接口開(kāi)關(guān)器件及低電容保護(hù)器件
安森美半導(dǎo)體為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)、筆記本和上網(wǎng)本等計(jì)算機(jī)應(yīng)用中的高速接口，如PCI Express(PCIe)、DisplayPort、千兆位以太網(wǎng)(GbE)及USB 2.0等，提供多種開(kāi)關(guān)器件。以服務(wù)器應(yīng)用為例，相關(guān)應(yīng)用示意圖及可以采用的器件如下圖所示。
圖3：安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于服務(wù)器的開(kāi)關(guān)器件型號(hào)及應(yīng)用示意。
在計(jì)算機(jī)應(yīng)用的高速接口保護(hù)方面，安森美半導(dǎo)體同樣提供多種選擇(見(jiàn)表2)。這些保護(hù)方案中，既有傳統(tǒng)ESD保護(hù)方案，也有新的PicoGuard XS保護(hù)方案(見(jiàn)圖4)。安森美半導(dǎo)體的高速接口保護(hù)產(chǎn)品系列兼具極高的信號(hào)完整性及業(yè)界最佳的鉗位電壓，確保為敏感的高速接口提供最高等級(jí)的保護(hù)。
表2：安森美半導(dǎo)體針對(duì)不同高速接口應(yīng)用的不同保護(hù)方案。
值得一提的是，安森美半導(dǎo)體新的PicoGuard XS®架構(gòu)可以維持高速數(shù)據(jù)接口的信號(hào)完整性，同時(shí)提供更強(qiáng)的ESD保護(hù)能力。這種架構(gòu)向上布線并穿過(guò)封裝，而不是位于封裝下面，藉此消除走線寄生參數(shù)。這種方法將電感與ESD二極管集成在一起以匹配信號(hào)線路阻抗，從而摒棄任何類(lèi)型的外部補(bǔ)償。集成電感降低鉗位電壓及受保護(hù)ASIC所流入的殘余電流，從而改善ESD保護(hù)性能。
圖4：傳統(tǒng)ESD保護(hù)設(shè)計(jì)與新的PicoGuard XS架構(gòu)比較。
總結(jié)：
安森美半導(dǎo)體身為應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的高性能硅方案供應(yīng)商，為臺(tái)式機(jī)、服務(wù)器和筆記本等計(jì)算機(jī)應(yīng)用提供高性能、高能效及高集成度的解決方案，應(yīng)用于各個(gè)主要子系統(tǒng)，如中央處理器(CPU)供電、熱管理、ATX電源及適配器電源轉(zhuǎn)換、高速接口開(kāi)關(guān)及保護(hù)等。安森美半導(dǎo)體針對(duì)計(jì)算機(jī)應(yīng)用也不斷推出最新的產(chǎn)品，如配合英特爾最新處理器平臺(tái)的CPU電源管理及相關(guān)器件、配合最新能效規(guī)范的ATX電源組合控制器及采用創(chuàng)新技術(shù)以更好地保護(hù)高速接口應(yīng)用的保護(hù)器件等?？蛻衾冒采腊雽?dǎo)體的這些高性能、高能效方案，可以開(kāi)發(fā)出在市場(chǎng)上更有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/179964.htm
評(píng)論