滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET

在小尺寸器件中驅動更高功率得益于半導體和封裝技術的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代半導體技術，在效率等級、功率密度和可靠性等方面都達到了新的水平。

電源設計工程師一直都面臨著許多的設計挑戰(zhàn)，這是由于先進處理器本身的要求和越來越多的功能都需要消耗功率。電路板中留給電源轉換器的空間常常被壓縮，即使是在需要許多種供電電壓和實際輸出功率不斷增加的情況。先進的封裝形式，例如DaulCool NexFET功率MOSFET就有助于工程師在標準封裝中滿足這些需求。采用了NexFET技術的功率MOSFET通過降低開關損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術可以實現更高的工作頻率，從而能夠獲得更高的功率密度。

理想開關
在典型的同步降壓開關電源轉換器中，MOSFET作為開關使用時的主要損耗包括開關損耗、傳導損耗、體二極管損耗和柵極驅動損耗。開關損耗主要是由器件本身結構的寄生電容產生的。傳導損耗是器件工作在增強模式時由導通電阻（RDS(on)）產生的。體二極管損耗是正向電壓和反向恢復電荷（Qrr）的函數。柵極驅動損耗由MOSFET的柵電荷（Qg）決定。因此，寄生電容和導通電阻（RDS(on)）決定了器件在特定應用中的性能。在現今的低壓MOSFET中最普遍使用的技術是TrenchFET（如圖1所示）。

圖1 MOSFET結構比較

TrenchFET技術的廣泛使用是由于它替代平面技術的特定管芯尺寸下具有極低的導通電阻，唯一的不足就是寄生電容通常會有所增加。面積比較大的溝道墻使它很難降低內部的寄生電容，這種電容使工程師只能在優(yōu)化性能的低工作頻率和具有更好功率密度的高工作頻率之間做出選擇。

NexFET技術可以獲得與TrenchFET技術相似的導通電阻，而相應的寄生電容大約降低50%。器件底部側面的擴散MOS（LDMOS：橫向擴散金屬氧化物半導體）和垂直流動電流可以得到很高的電流密度。圖1所示的結構顯示出柵極下面的面積在源極區(qū)和漏極區(qū)重疊得很少，這就使得內部寄生電容很小。寄生電容的降低會使開關時的電荷（Qg、Qgs、Qgd）降低。因此，器件的開關速度會更快，也降低了MOSFET中的開關損耗。同時，驅動電路所需要的能量也比較低，這也降低了驅動器中的損耗。器件內部的密勒電荷（Qgd）影響器件開關損耗，并決定著消除Cdv/dt打開的開關能力，它的存在使效率大大降低，并有可能毀壞MOSFET。

NexFET技術改進的主要作用是它具有更低和更平的功率損耗-頻率曲線（如圖2所示）。因此，與TrenchFET技術相比，采用NexFET技術的典型的同步降壓電源轉換電路在維持相同功率損耗的情況下可以工作在兩倍的頻率。例如，如果將功率損耗限制在3W，并維持全負載效率高于90%，開關頻率就可以從500kHz（TrenchFET MOSFET）增加到1MHz（NexFET MOSFET）。當開關電源工作在更高的頻率時，無源器件，例如輸出電感等的尺寸就可以減少50%，這也改善了功率密度。

圖2 新型MOSFET的平直功率損耗曲線使它可以工作在更高的頻率