基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET

隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/功率">功率器件從電流驅(qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET首度面向高壓器件，BVDSS電壓范圍達(dá)到500-600V，取得市場(chǎng)的成功。在這個(gè)時(shí)期，功率MOSFET的傳導(dǎo)損耗主要取決于溝道密度、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)阻抗和外延阻抗(參見(jiàn)圖1)。隨著半導(dǎo)體行業(yè)光刻設(shè)備越來(lái)越精密，提高了晶體管單元密度，傳導(dǎo)損耗因而得以改善。光刻設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更高的單元密度，同時(shí)也促使功率MOSFET的BVDSS范圍成功地下降到100V以內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了新的汽車(chē)電子、電源和電機(jī)控制應(yīng)用。高壓MOSFET的傳導(dǎo)損耗問(wèn)題也就轉(zhuǎn)移到外延設(shè)計(jì)之上。另一方面，MOSFET器件在降壓轉(zhuǎn)換器中的使用，以及更寬的電源電壓范圍(30V)要求，激發(fā)了市場(chǎng)對(duì)更高性能器件的需求。

圖1：平面功率MOSFET的導(dǎo)通阻抗元件

上世紀(jì)90年代初期平面功率MOSFET技術(shù)的長(zhǎng)足發(fā)展之時(shí)，出現(xiàn)了一類(lèi)新型溝道柵極功率MOSFET，為低壓器件設(shè)立了新的性能標(biāo)桿。這類(lèi)溝道MOSFET采用一種嵌入在溝道區(qū)域并細(xì)致地蝕刻到器件的柵極結(jié)構(gòu)，使得溝道密度增加一倍(第一代產(chǎn)品就達(dá)到每平方英寸1200萬(wàn)個(gè)單元)。由于新技術(shù)能夠增加并行傳導(dǎo)通道的數(shù)量并減少JFET阻抗元件，因此使到傳導(dǎo)效率提高近30%。

器件設(shè)計(jì)人員面對(duì)的挑戰(zhàn)是：技術(shù)提升除了增加單元密度，因?yàn)闁艠O-漏極區(qū)域交疊面積和柵極-源極交疊面積增加，所以同時(shí)引起容抗和柵極電荷的增加。因此，器件設(shè)計(jì)人員一直希望通過(guò)結(jié)構(gòu)創(chuàng)新來(lái)減少開(kāi)關(guān)損耗。飛兆半導(dǎo)體公司于1998年推出一種專為高效降壓轉(zhuǎn)換器而優(yōu)化的溝道柵極功率MOSFET，也就是第一代PowerTrench® 產(chǎn)品。如今PowerTrench®已經(jīng)過(guò)七代改進(jìn)優(yōu)化，演變?yōu)樽钚碌慕祲恨D(zhuǎn)換器部件。

針對(duì)同步整流拓?fù)涞墓β蔒OSFET優(yōu)化

隨著首批微控制器開(kāi)始使用有別于計(jì)算機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)5V或12V電源，功率MOSFET也開(kāi)始獲得廣泛應(yīng)用。將直流電壓轉(zhuǎn)換成更低電壓的舊式降壓轉(zhuǎn)換器，成為低電壓開(kāi)關(guān)功率器件發(fā)展的應(yīng)用驅(qū)動(dòng)力。而且開(kāi)發(fā)焦點(diǎn)也從AC-DC開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)，轉(zhuǎn)向要求更嚴(yán)苛的處理器以及能滿足特定的供電要求的相關(guān)外設(shè)組件。

作為處理器電源的降壓轉(zhuǎn)換器隨即增配同步整流器以改善效率，并使用同步開(kāi)關(guān)功率MOSFET來(lái)補(bǔ)充并最終替代肖特基整流二極管，從而降低傳導(dǎo)損耗。而移動(dòng)計(jì)算技術(shù)的出現(xiàn)，對(duì)轉(zhuǎn)換器效率提出了更高求，進(jìn)而推動(dòng)了該技術(shù)的高度演進(jìn)，成為現(xiàn)代功率MOSFET中使用的模式。

在高技術(shù)水平下，易于確定對(duì)降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET的要求。在大多數(shù)情況下，同步整流器或SyncFET都在導(dǎo)通狀態(tài)下工作，并且其導(dǎo)通阻抗應(yīng)當(dāng)很小，以最大限度減少功耗。高側(cè)開(kāi)關(guān)MOSFET由直流電源驅(qū)動(dòng)，生成電脈沖，然后經(jīng)LC濾波器平滑處理成連續(xù)的電壓，再施加到負(fù)載上。因?yàn)镸OSFET的主要損耗來(lái)自開(kāi)關(guān)動(dòng)作，而且導(dǎo)通時(shí)間很短，所以開(kāi)關(guān)器件速度要夠快，而且導(dǎo)通阻抗要夠小。開(kāi)關(guān)和整流兩個(gè)環(huán)節(jié)交替處于導(dǎo)通狀態(tài)，但導(dǎo)通時(shí)段不能重疊，否則電源和接地間便會(huì)形成所謂直通(shoot-through)，直接造成功率損耗。當(dāng)開(kāi)關(guān)器件導(dǎo)通時(shí)，SyncFET的漏極電壓瞬變將在柵極CGS上產(chǎn)生感應(yīng)電流和電壓，其大小則取決于CGS和CGD的幅度及兩者的比率以及開(kāi)關(guān)瞬變速率。如果柵極電壓超過(guò)閾值，器件將再次導(dǎo)通，導(dǎo)致直通。所以只要CGS/CGD比率足夠大，便能夠防止漏極電壓瞬變誘發(fā)直通。

分析該技術(shù)演進(jìn)并明確MOSFET要求后，就能明白器件技術(shù)發(fā)展的主要推動(dòng)因素。在圖2a的基本溝道柵極結(jié)構(gòu)中，通過(guò)增加溝道的寬度/長(zhǎng)度比，便可以降低導(dǎo)通阻抗。而按圖2b所示在溝道底部延伸氧化層厚度，就能夠提高開(kāi)關(guān)速度和增大CGS/ CGD比率。最終的設(shè)定就如圖2c所示，在溝道的柵極下部額外嵌入一個(gè)電極，以增加漂移區(qū)電荷，從而降低導(dǎo)通阻抗；并且同時(shí)降低CGD，提高開(kāi)關(guān)速度，并改變CGS /CGD比率，藉此最大限度地防止直通。

圖2：a）傳統(tǒng)溝道柵極功率MOSFET；b）溝道底部氧化層加厚的溝道MOSFET；c）增添屏蔽電極的溝道MOSFET。