用于時(shí)間交織ADC的高精度開環(huán)跟蹤保持電路設(shè)計(jì)

　　圖2給出了本文所采用的自舉采樣開關(guān)的結(jié)構(gòu)。該電路主要包括時(shí)鐘自舉和柵壓自舉NMOS開關(guān)兩部分。其中M1～M2和C1～C2組成時(shí)鐘自舉電路，M3～M4和CB組成柵壓自舉電路。整個(gè)電路由兩相不交疊時(shí)鐘控制。

　　當(dāng)時(shí)鐘CLK為高時(shí)，M6～M7導(dǎo)通可將開關(guān)MS柵壓拉到地，同時(shí)M3～M4眠管導(dǎo)通可對CB進(jìn)行充電至Vdd；反之，當(dāng)時(shí)鐘CLK為低時(shí)，CB放電，M8管導(dǎo)通，輸入信號電壓VIN加到CB下極板上，開關(guān)管MS的柵極電壓被提高到(VIN+Vdd)，從而使開關(guān)管的柵源電壓恒定為Vdd。

　　由于傳統(tǒng)的柵壓自舉電路中，電容CB上下極板相連的寄生電容會(huì)導(dǎo)致電荷共享，從而使開關(guān)的柵源電壓減小。

　　其中，CP表示與充電電容CB相連的寄生電容的總和。電容C3的加入不僅可以加速M(fèi)9管迅速導(dǎo)通，而且更重要的是降低了電路的寄生電容，減小了對輸入信號造成的影響，從而提高開關(guān)MS的柵源電壓，改善開關(guān)的線性度。M1～M4的尺寸可以適當(dāng)大些，以加快充放電速度，另外，下拉開關(guān)M2也可以適當(dāng)大些，以加速關(guān)斷。溝道電荷注入也是影響開關(guān)線性度的另一個(gè)重要因素，因此，本設(shè)計(jì)加入了冗余開關(guān)管MD，以降低溝道電荷注入，改善開關(guān)的性能。

　　3 緩沖器設(shè)計(jì)

　　緩沖器作為TH電路設(shè)計(jì)的另一個(gè)重要部分，其增益和帶寬都將影響整個(gè)ADC的動(dòng)態(tài)性能。在以往的開環(huán)結(jié)構(gòu)中，緩沖器的結(jié)構(gòu)主要有源級跟隨器(SF)和單位增益放大器兩種形式。SF的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)簡單且功耗較低。理想的SF具有較好的線性度和單位增益放大能力且此性能與偏置電流和晶體管尺寸都不相關(guān)。然而，在實(shí)際運(yùn)用中，SF會(huì)受到體效應(yīng)和短溝效應(yīng)的影響，從而導(dǎo)致信號衰減和增益的下降。為了提高SF的精度，只能通過改變晶體管尺寸和偏置電流，但這又與電路的功耗和速度相矛盾。此外，SF的另一個(gè)缺點(diǎn)是增益和線性度對設(shè)計(jì)參數(shù)不敏感，但這同時(shí)也是其優(yōu)點(diǎn)，其對電路失配也不敏感。

　　相比于SF而言，單位增益放大器本身的增益也并非單位增益，需要通過設(shè)計(jì)參數(shù)調(diào)整得到。比較常用的是源級弱化交叉耦合對結(jié)構(gòu)，其設(shè)計(jì)裕度比普通的差分對結(jié)構(gòu)和SF結(jié)構(gòu)都更大。根據(jù)本設(shè)計(jì)對帶寬的要求，負(fù)載電阻不能太大。故為了保證增益，偏置電流和管子尺寸都比較大，影響電路的功耗；同時(shí)為了提高偏置電流管的電壓裕度和輸入共模范圍，又要引入大的源級衰減電阻，而此電阻又會(huì)引入噪聲跟諧波，影響電路的動(dòng)態(tài)精度。

　　通過對以上兩種結(jié)構(gòu)的分析比較，結(jié)合本設(shè)計(jì)對速度和功耗的指標(biāo)要求，本文采用加強(qiáng)型源隨器技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種可滿足本設(shè)計(jì)要求的高增益、高帶寬的緩沖器。

　　圖3是本設(shè)計(jì)所采用的緩沖器結(jié)構(gòu)。其中P管源隨器為主管，在此源隨器的基礎(chǔ)上加入的N管用來鉗位P管的源漏電壓，以使得漏源電壓為常數(shù)。在深亞微米工藝中，MOS管的最小溝道長度會(huì)減小，輸出電阻變小且受短溝效應(yīng)和背柵效應(yīng)影響而是非線性，從而導(dǎo)致電路增益降低并引入了失真。N管可使主管的漏源電壓恒定，從而使得短溝效應(yīng)降低，也降低了P管的漏源電壓，提高了輸出電阻，從而改善了增益和線性度。與傳統(tǒng)的級串型源隨器相比，由于漏端跟柵端電壓幾乎保持相同的電壓相位和幅度，柵漏電容也降低了，故輸入電容不但不會(huì)增加，反而降低了。而低的輸入電容又避免了對高頻輸入信號的衰減。