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MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時電流分配不均問題探究

作者: 時間:2009-10-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

考慮本時段變量),的初始條件,t=0時(即上一階段t=t2時),y=UT2;并選擇y'=y(t2),得此微分方程組的解為:

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/181198.htm



此時,兩個 極的差達到最大值,即:


式(26)~式(27)反映了并聯(lián)的功率不勻程度及其與器件參數(shù)、電路參數(shù)的關(guān)系,以上分析利用了近似關(guān)系式B> >A>>C,當(dāng)不滿足該關(guān)系時,以上分由式(26)~(27)可以看出,兩漏極的程度與管子參數(shù)gm、UT1、UT2、 Cgs、Cgd和電路參數(shù)Rg、Ls、Lo等都有密切關(guān)系。根據(jù)場效應(yīng)管IRFP064的典型參數(shù)及典型電路參數(shù)式(10)、(15)、(16)、 (22)、(23)得到曲線如圖4所示。當(dāng)?shù)玫降穆O電流的勻程度及所需時間隨管子參數(shù)和電路參數(shù)的變化關(guān)系如圖5、圖6所示。

4 結(jié)束語
通過以上分析,要減小并聯(lián)管電流不勻的影響,當(dāng)應(yīng)用電路采用如圖3所示的控制方式時,可采取以下措施:(1)盡量選擇UT、gm、Ron等參數(shù)對稱的管子,這是最基本的方法;(2)適當(dāng)引入源極電感Ls,這樣既可提高漏極電流iD 的均勻度,又不至于明顯增大上升時間;(3)在漏極電流如的上升時間滿足要求的情況下,盡量減小柵極電阻Rg;(4)通過合理安排元器件及合理布線,盡量減小漏極分布電感。

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