功率器件在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用

晶閘管的并聯(lián)

由于單個(gè)元件耐壓水平的提高，每個(gè)元件并聯(lián)工作以增大設(shè)備功率的情形更常見，以兩只晶閘管并聯(lián)工作為例，如圖二所示。

理想情況下電流分布，I1=I2=I/2，但是由于元件參數(shù)的差異，比如飽和導(dǎo)通壓降的差異，di/dt的差異，電路安裝時(shí)工藝上的細(xì)微差別造成分布電感上差異等，直接導(dǎo)致I1≠I2，嚴(yán)重時(shí)將使電流較大的元件因過流而燒毀，因此必須采取措施保證I1與I2的差別在允許的范圍內(nèi)。

通常采取的辦法是：1）采用共軛電感，以保證動態(tài)均流；2）并聯(lián)RC電路以吸收浪涌電壓；3）盡量選用通態(tài)壓降一致的晶閘管并聯(lián)工作；4）嚴(yán)格安裝工藝，保證各支路分布電感盡量一致，如圖三所示

以上所述的保護(hù)措施要根據(jù)元件工作頻率的不足區(qū)別對待，在三相整流電路中，通常在電源端增設(shè)△形RC濾波器。

由于晶閘管自身特性參數(shù)的原因，其極限工作頻率一般限制在8KC以下，對于更高頻率的使用要求，目前國內(nèi)已經(jīng)出現(xiàn)采用IGBT作為功率開關(guān)元件的超音頻電源。

IGBT的使用與保護(hù)

絕緣柵雙極晶體管（IGBT或IGT―InsulatedGateBipolarTransistor），是80年代中期發(fā)展起來的一種新型復(fù)合器件。IGBT綜合了MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)，因而具有良好的特性。目前IGBT的電流/電壓等級已達(dá)1800A/1200V，關(guān)斷時(shí)間已經(jīng)縮短到40ns，工作頻率可達(dá)40kHz，擎住現(xiàn)象得到改善，安全工作區(qū)（SOA）擴(kuò)大。這些優(yōu)越的性能使得IGBT稱為大功率開關(guān)電源、逆變器等電力電子裝置的理想功率器件。IGBT的驅(qū)動方式與可控硅有著明顯的不同，導(dǎo)致控制電路有著很大的差異?？煽毓璨捎脧?qiáng)上升沿的窄脈沖信號驅(qū)動，而IGBT采用方波驅(qū)動。