一種基于DDS技術(shù)的電磁超聲激勵電源

2．2 脈沖串控制電路
為了調(diào)節(jié)電磁超聲的諧振點(diǎn)，要求控制信號的個數(shù)可以靈活改變，由于電磁超聲換能器 (EMAT)采用了電磁鐵，這就要求激勵源的相位應(yīng)與電磁鐵的50 Hz工頻相位相一致，并能在0～180°之間做出調(diào)整。采用單片機(jī)控制可編程邏輯器件(CPLD)，在CPLD內(nèi)部完成對脈沖串個數(shù)和相位的控制。最終由上位機(jī)與單片機(jī)通訊產(chǎn)生頻率、個數(shù)、相位均可調(diào)的脈沖串。將單片機(jī)的P0，P2口分別與CPLD連接作為地址和數(shù)據(jù)接口，P3．4，P3．5作為控制端口，當(dāng)單片機(jī)將脈沖串的個數(shù)和相位寫入CPLD后，便輸出HO，LO兩路互補(bǔ)單極性方波信號。
2．3 功率放大電路和阻抗匹配電路設(shè)計
為了增大電磁超聲波的強(qiáng)度，需將激勵信號的功率進(jìn)一步放大。根據(jù)電磁超聲波的強(qiáng)度與電流的平方成正比，可利用功率放大電路實(shí)現(xiàn)信號電流的放大。
功率放大電路采用大功率管(MOSFET)組成半橋功率放大電路。MOSFET具有開關(guān)速度快，可承受高壓，且高頻特性好，輸入阻抗高，驅(qū)動功率小，無二次擊穿問題等特點(diǎn)。柵極驅(qū)動的要求是觸發(fā)脈沖有足夠快的上升和下降速度。要使功率MOSFET充分導(dǎo)通，觸發(fā)脈沖的電壓要高于功率MOSFET的開啟電壓。MOSFET管的類型很多，如STW15NB50，IRF840等。在該設(shè)計中選用STW15NB50，其最短開通時間為24 ns，關(guān)斷時間為15 ns，漏源電壓VDS可達(dá)到500 V，峰值脈沖電流58 A，能夠滿足設(shè)計要求。
圖3為半橋功率放大電路，R1，R2為橋平衡電阻；C1，C2為橋臂電容；D1，D2為橋開關(guān)吸收電路元件。其工作原理如下：兩個反相的方波激勵信號分別接到兩個開關(guān)管的基極，當(dāng)HO為高電平，LO為低電平時，Q1導(dǎo)通，Q2關(guān)閉，電流通過Q1至變壓器初級向電容C2充電，同時C1上的電荷向Q1和變壓器初級放電，從而在輸出變壓器次級感應(yīng)一個正半周期脈沖電壓；當(dāng)HO為低電平，LO為高電平時，Q2被觸發(fā)導(dǎo)通，Q1關(guān)閉，電流通過電容C1和變壓器初級充電，而C2的電荷也經(jīng)由變壓器初級放電，在變壓器次級感應(yīng)一個負(fù)半周期脈沖電壓，從而形成一個工作頻率周期的功率放大波形。由于功放管工作在伏安特性曲線的飽和區(qū)或截止區(qū)，集電極功耗降到最低限度，從而提高了放大器的能量轉(zhuǎn)換效率，使之可達(dá)80％以上。

MAX4428，IRF系列的驅(qū)動芯片或由三極管組成的放大電路均可用于驅(qū)動MOSFET管。但是，MAX4428和其他一些集成驅(qū)動芯片的驅(qū)動頻率一般只能達(dá)到200 kHz左右，而本設(shè)計采用三極管如圖4連接，驅(qū)動電路頻率可以達(dá)到2 MHz左右，輸出無雜波且成本低，能夠成功地驅(qū)動MOS管的開／斷。

為了使輸出的瞬時功率最大，需要對探頭的阻抗進(jìn)行匹配。在功率放大輸出端加補(bǔ)償阻抗，使整個電路的感抗和容抗相抵消，發(fā)射的功率最大，電能轉(zhuǎn)換成聲能的效率最高，匹配電路如圖3虛線框中所示，半橋逆變輸出經(jīng)傳輸線變壓器耦合后通過電容連接到換能器上。傳輸線變壓器由雙絞線和磁環(huán)組成，電路中脈沖串發(fā)射頻率在1 MHz時激勵源輸出阻抗為50 Ω；由于被測工件也屬于換能器的一部分，所以在對探頭阻抗進(jìn)行測量時，應(yīng)將探頭置于工件表面，若測得負(fù)載阻抗為500 Ω，則雙絞線匝數(shù)應(yīng)為10左右。
經(jīng)過調(diào)諧匹配，換能器在電磁超聲功率源驅(qū)動下達(dá)到諧振。圖5為采集的換能器的激勵電壓波形?？梢姭@得了頻率為純凈的正弦波，在外接電壓為100 V時，其峰一峰值接近100 V