RFID晶片技術(shù)突破 1W功率可讀寫8米距離

Impinj公司在日本“第6屆自動(dòng)識(shí)別綜合展”首次展出長距離的RFID標(biāo)簽晶片，在耗電量1W的情況下，最遠(yuǎn)可對(duì)8公尺以外的RFID標(biāo)簽進(jìn)行逐一區(qū)分并寫入資訊。

目前，關(guān)於日本總務(wù)省將如何開放950MHz頻帶，情況尚不明朗，Impinj 指出，即使規(guī)定耗電量需在0.1W以下（假定使用平面天線時(shí)的電力密度與距離的平方成反比），那也可以達(dá)到2.5m，對(duì)於實(shí)用而言已經(jīng)足夠了。

此外，此晶片大小只有0.77mm2，但不僅可以讀取還可以寫入，讀取和寫入時(shí)的電壓均只需1V電壓。

此晶片是采用0.25μm CMOS制程生，配備記憶容量288bit的非揮發(fā)性記憶體。該標(biāo)簽符合EPCglobal（原名Auto-ID Center）制定的RFID標(biāo)簽標(biāo)準(zhǔn)“EPC（Electronic Product Code）Class 0”。

本文由 CTIMES 同意轉(zhuǎn)載，原文鏈接:http://www.ctimes.com.tw/DispCols/cn/RFID/%E6%97%A0%E7%BA%BF%E9%80%9A%E4%BF%A1%E6%94%B6%E5%8F%91%E5%99%A8/0409271430JT.shtmll