65nm對(duì)決90nm!Intel技術(shù)不只領(lǐng)先一點(diǎn)

65nm對(duì)決90nm!Intel技術(shù)不只領(lǐng)先一點(diǎn) 

     

    每一次工藝制程的變更，都將帶來(lái)處理器性能的飛躍。

    在更新的制程工藝上，Intel這一次稍稍領(lǐng)先。Intel最新的65nm處理器已經(jīng)在IDF大會(huì)上亮相。65納米（1納米等于十億分之一米）制程融合了高性能、低功耗晶體管、第二代英特爾應(yīng)變硅、高速銅互連以及低-K電介質(zhì)材料。采用65納米制程生產(chǎn)芯片將使英特爾能夠?qū)?dāng)前單個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量再翻一番。65nm晶體管不僅在尺寸上比90nm產(chǎn)品更小，而且還會(huì)降低能耗并減少電流泄漏。



    65nm工藝將把泄漏降低四倍，同時(shí)與90nm晶體管相比性能卻不會(huì)降低。其秘密在于英特爾的“應(yīng)變硅”技術(shù)。當(dāng)然，它在90nm工藝中也使用了應(yīng)變硅，但在65nm節(jié)點(diǎn)中使用的卻是第二代產(chǎn)品，它能夠在使晶體管性能提高10%-15%的同時(shí)卻不會(huì)增加泄漏。 65nm工藝還采用了Low K介電質(zhì)，這種材料能夠進(jìn)一步限制泄漏。該工藝采用的是8層排列的銅線互連。


    Intel的65nm SRAM芯片采用了Intel的第二代應(yīng)變硅技術(shù)，銅互連以及低K值電介質(zhì)。4Mbit的芯片單元大小僅有0.54平方微米，每個(gè)單元由6個(gè)晶體管組成。Intel介紹1000萬(wàn)個(gè)這樣的芯片和圓珠筆尖相當(dāng)。


65納米技術(shù)SRAM芯片


300毫米晶圓

     英特爾首席執(zhí)行官保羅