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電路配置通盤考量應(yīng)用

作者: 時間:2011-11-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

有很多電子產(chǎn)品需要扁平(Low-profile)而小型的交流對直流(AC-DC)電源設(shè)計,例如平面顯示器、機架式電腦設(shè)備、電信及航空的底盤安裝式設(shè)備等。然而,即使對一個相當(dāng)有經(jīng)驗的電源設(shè)計人員來說,要在一個扁平且體積小的器件內(nèi)實現(xiàn)最大化的AC-DC電源效率,也不是一件容易的事;更何況在給定時間內(nèi),這類設(shè)備須為負(fù)載提供數(shù)百瓦的功率,因而帶來更大的設(shè)計挑戰(zhàn)。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/187222.htm

  舉例來說,1U機架式應(yīng)用中采用的典型12伏特(V)、300瓦(W)電源有尺寸上的限制,最大高度不得超過1.75寸(44.45毫米),并要包含一個或多個風(fēng)扇以進行強制空氣冷卻。但對于高度限制小于1U的系統(tǒng),強制空氣冷卻也許不可行,這意味著必須采用成本高昂且表面積大的薄型散熱器來實現(xiàn)散熱管理。因此,最大效率的AC-DC電源設(shè)計顯得非常重要,因為其對縮小散熱器的尺寸與成本、提高設(shè)計的整體可靠性有直接影響。

  助力AC-DC電源設(shè)計 BCM/CCM PFC各有妙用

  在大多數(shù)功率位準(zhǔn)工作的情況下,AC-DC電源需要某些類型的主動式功率因數(shù)校正器(PFC)。不過,是否需要PFC,必須取決于幾個考量,包括功率位準(zhǔn)、終端應(yīng)用、設(shè)備類型和地理位置等;此外,通常還須符合EN6100-3-2或IEEE 519等規(guī)范的要求才能決定。

  對于AC-DC電源設(shè)計,一般會把一個非隔離且離線的升壓預(yù)調(diào)節(jié)器(Pre-regulator)當(dāng)作PFC使用,其中,直流輸出電壓做為下游隔離直流對直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的輸入。由于這兩個轉(zhuǎn)換器是彼此串連的,故總體系統(tǒng)效率ηSYS將是每個轉(zhuǎn)換器效率的乘積:

  

¨¨¨¨方程式1

  由方程式1可見,在選擇最佳電源拓?fù)浼皟蓚€轉(zhuǎn)換器的控制技術(shù)時,必須要謹(jǐn)慎且全面考慮,其中有兩種PFC控制技術(shù),第一種具有許多高效特性的系統(tǒng)解決方案是結(jié)合交錯式雙邊界導(dǎo)通模式(BCM)PFC,另一種則為連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)PFC。

  以BCM PFC模式而言,須搭配一個非對稱半橋(AHB)隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器,其須用到一個帶有自驅(qū)動(Self-driven)同步整流器(Synchronous Rectifier, SR)的倍流整流器次級端(Current Doubler Rectifier Secondary)。特別是對于300瓦~1仟瓦(kW)范圍的PFC來說,應(yīng)考慮選擇BCM PFC,因為在相似的功率位準(zhǔn)下,BCM PFC的效率高于CCM PFC控制技術(shù)。其以一種可變頻率控制演算法為基礎(chǔ),在這種演算法中,兩個PFC升壓功率級彼此有同步180度的異相。

  此外,由于BCM PFC具備有效的電感漣波電流消除,電磁干擾(EMI)濾波器和PFC輸出電容中常見的高峰值電流得以減小,并使輸出PFC大電容受益于漣波電流消除,進而讓流經(jīng)等效串連電阻(ESR)的交流RMS電流減小。不僅如此,由于升壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)在依賴交流線的零電壓開關(guān)(ZVS)下關(guān)斷,并在零電流開關(guān)(ZCS)下導(dǎo)通,故可進一步提高效率,而對于350瓦的交錯式BCM PFC設(shè)計,則可去掉MOSFET散熱器,如圖1所示。

  

12伏特、300瓦的小型通用AC-DC電源

  圖1 12伏特、300瓦的小型通用AC-DC電源

  另一方面,CCM PFC設(shè)計中使用的升壓MOSFET則易受與頻率相關(guān)的開關(guān)損耗的影響,而開關(guān)損耗與輸入電流及線電壓成比例。藉由在零電流時關(guān)斷交錯式BCM升壓二極體,可避免反向恢復(fù)損耗,因而可以使用成本低廉的快速恢復(fù)整流二極體,而且在某些情況下不須搭載散熱器。

  不過,對于CCM PFC設(shè)計,反向恢復(fù)損耗是無可避免的,為解決此一問題,通常會在二極體兩端采用RC緩沖器(但這樣做會降低效率),或者是采用較高性能的碳化矽二極體(會增加相關(guān)成本)。

  

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