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軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的輸出電容設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2011-11-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
設(shè)計(jì)人員感興趣的另一個(gè)地方是MOSFET電容的測試條件。大多數(shù)情況下,在1MHz頻率和Vgs為0V的條件下測量。事實(shí)上存在著柵漏間電容、柵源間電容及漏源間電容。但實(shí)際上卻不可能單獨(dú)測量每一電容。因此,柵漏間電容和漏源間電容之和總稱為,通過并聯(lián)兩個(gè)電容來測量。為使它們并聯(lián),將柵極與源極短接在一起,即Vgs=0V。在開關(guān)應(yīng)用中,當(dāng)MOSFET在柵極加偏置電壓而導(dǎo)通時(shí),通過MOSFET溝道而短路。僅當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí),輸出電容值才值得考慮。關(guān)于頻率,如圖5所示,低壓下的輸出電容在低頻時(shí)稍有增加。低頻時(shí),因?yàn)闇y試設(shè)備的限制,有時(shí)無法測量低漏源電壓下的電容。圖5中,當(dāng)漏源電壓小于4V時(shí),100kHz時(shí)的電容將無法測出。雖然輸出電容存在微小變化,但是等效輸出電容卻幾乎恒定,因?yàn)榈蛪合碌妮敵鲭娙菸⑿∽兓粫?huì)對(duì)儲(chǔ)能產(chǎn)生如圖3所示那樣大的影響。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/187223.htm

  

  圖5:MOSFET電容與頻率的關(guān)系。

  本文小結(jié)

  輸出電容是設(shè)計(jì)的重要部分。設(shè)計(jì)人員必須慎重考慮等效電容值,而不是將其固定為漏源電壓下的單一數(shù)值。


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