全新功率半導體技術助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能

圖4 帶屏蔽電極的功率MOSFET器件橫截面圖

其他參數(shù)現(xiàn)在也變得更具相關性，例如，體二極管反向恢復、內(nèi)部柵極阻抗以及MOSFET的輸出電荷(QOSS)。低壓MOSFET產(chǎn)品現(xiàn)在開始針對二極管反向恢復以及輸出電容的最小化而優(yōu)化。在開關頻率和輸出電流較高時，這些損耗元件的重要性便更為明顯。

封裝阻抗、電感及其熱特性也對功耗有著重大影響，隨著目前器件尺寸越來越小，以及組合封裝解決方案在應用中開始逐漸流行，這一點便尤其顯著。

在DC/DC轉換器應用中，重負載條件下，因傳導損耗，效率主要由導通阻抗決定；而在輕負載條件下，控制效率的主要因素是柵極電荷、反向恢復電荷和輸出電容。圖5顯示了不同輸出負載條件下，各個元件的相對功耗。

圖5 DC/DC轉換器中各個元件的相對功耗

最近幾年來，功率轉換半導體解決方案的開發(fā)速度大大加快。2010年推出的器件的效率增益，特別是輕載條件下的效率增益，預計將有大幅度提高(如圖6所示)。

圖6 兩代功率MOSFET技術之間的效率比較

先進的高壓器件降低AC/DC級的功耗
帶PFC的開關模式電源通常運用在數(shù)據(jù)中心，而現(xiàn)在也常見于電信電源和白色家電，以執(zhí)行第一級功率轉換。功率因數(shù)校正電路歷來都是采用整合了功率開關(MOSFET或IGBT)和升壓二極管的升壓轉換器拓撲。不過，由于引入了軟恢復二極管(如飛兆半導體的Hyperfast Stealth)，可以去掉或簡化緩沖電路，升壓轉換器可采用硬開關模式來實現(xiàn)。通過Stealth二極管或SiC肖特基二極管與SupreMOS等新超級結技術的結合，設計人員能夠獲得更低的傳導損耗和開關損耗，并簡化柵極驅動，減少EMI。

利用PFC不僅可以確保器件符合EN61000-3-2等規(guī)范標準，減少元件上的應力，從而減少諧波成分，增強可靠性；還能夠通過增大電源的最大功率來提高轉換效率。

AC/DC級的大多數(shù)大功率有源PFC設計都整合了一個連續(xù)電流模式(CCM)升壓轉換器拓撲，因為這種結構十分簡單，并且具有很寬的AC輸入電壓范圍。另一種PFC工作模式，臨界導通模式(BCM)，則用于低功率級。CCM升壓轉換器(如圖1所示)會采用硬開關模式控制升壓二極管和開關器件，但是硬開關的缺點是二極管的反向恢復特性會增加開關器件的導通損耗，并產(chǎn)生EMI。

二極管的反向恢復特性決定了它如何從正向傳導狀態(tài)轉換到反向電壓阻斷狀態(tài)。如果反向恢復電流過于突然地從IRRM(最大反向恢復電流)返回到零，就會產(chǎn)生電壓尖刺和嚴重的EMI。電路設計人員會通過降低開關的導通di/dt，或者增加緩沖電路(snubber circuit)來減輕這種效應。在使用以前的二極管技術的年代，設計人員只能采用一個軟二極管或快速恢復二極管。不過，以往軟二極管技術的IRRM值很大，在二極管trr(反向恢復時間)期間會產(chǎn)生很大的導通損耗；同時，降低開關導通速度也會增加開關導通損耗。而增添緩沖電路又會增加成本和復雜性，并降低可靠性。除此之外，因為基本RC方案中緩沖電阻的功耗很大，使緩沖電路還常常涉及復雜的能量恢復方案。為解決這個問題，可采用一個Stealth II二極管來減小導通損耗。MOSFET超級結技術能夠極大地降低導通阻抗RDS(ON)，從而降低傳導損耗；而且超級結器件的速度非?？?，可大大降低關斷損耗。只要采用像SupreMOS和Stealth-II二極管這樣的新技術，就能夠使軟開關PFC實現(xiàn)最大效率。