EMC設(shè)計器件選擇及電路介紹
在新設(shè)計及開發(fā)項目的開始,正確選擇有源與無源器件及完善的電路設(shè)計技術(shù),將有利于以最低的成本獲得EMC認(rèn)證,減少產(chǎn)品因屏蔽和濾波所帶來的額外的成本、體積和重量。 這些技術(shù)也可以提高數(shù)字信號的完整性及模擬信號信噪比,可以減少重復(fù)使用硬件及軟件至少一次,這也將有助于新產(chǎn)品達(dá)到其功能技術(shù)要求,盡早投入市場。這些EMC技術(shù)應(yīng)視為公司竟?fàn)巸?yōu)勢的一部分,有助于使企業(yè)獲得最大的商業(yè)利益。
1.1數(shù)字器件與EMC電路設(shè)計
1.1.1器件的選擇
大部分?jǐn)?shù)字IC生產(chǎn)商都至少能生產(chǎn)某一系列輻射較低的器件,同時也能生產(chǎn)幾種抗ESD的I/O芯片,有些廠商供應(yīng)EMC性能良好的VLSI(有些EMC微處理器比普通產(chǎn)品的輻射低40dB);大多數(shù)數(shù)字電路采用方波信號同步,這將產(chǎn)生高次諧波分量,如圖1示。時鐘速率越高,邊沿越陡,頻率和諧波的發(fā)射能力也越高。 因此,在滿足產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)的前提下,盡量選擇低速時鐘。在HC能用時絕不要使用AC,CMOS4000能行就不要用HC。要選擇集成度高并有EMC特性的集成電路,比如:
* 電源及地的引腳較近
* 多個電源及地線引腳
* 輸出電壓波動性小
* 可控開關(guān)速率
* 與傳輸線匹配的I/O電路
* 差動信號傳輸
* 地線反射較低
* 對ESD及其他干擾現(xiàn)象的抗擾性
* 輸入電容小
* 輸出級驅(qū)動能力不超過實際應(yīng)用的要求
* 電源瞬態(tài)電流低(有時也稱穿透電流)
這些參數(shù)的最大、最小值應(yīng)由其生產(chǎn)商一一指明。由不同廠家生產(chǎn)的具有相同型號及指標(biāo)的器件可能有顯著不同的EMC特性,這一點(diǎn)對于確保陸續(xù)生產(chǎn)的產(chǎn)品具有穩(wěn)定的電磁兼容符合性是很重要的。
高技術(shù)集成電路的生產(chǎn)商可以提供詳盡的EMC設(shè)計說明,比如Intel的奔騰MMX芯片就是這樣。設(shè)計人員要了解這些并嚴(yán)格按要求去做。詳盡的EMC設(shè)計建議表明:生產(chǎn)商關(guān)心的是用戶的真正需求,這在選擇器件時是必須考慮的因素。在早期設(shè)計階段,如果IC的EMC特性不清楚,可以通過一簡單功能電路(至少時鐘電路要工作)進(jìn)行各種EMC測試,同時要盡量在高速數(shù)據(jù)傳輸狀態(tài)完成操作。發(fā)射測試可方便地在一標(biāo)準(zhǔn)測試臺上進(jìn)行,將近場磁場探頭連接到頻譜分析儀(或?qū)拵静ㄆ?上,有些器件明顯地比其他一些器件噪聲小得多,測試抗擾度時可采用同樣的探頭,并連到信號發(fā)生器的輸出端(連續(xù)射頻或瞬態(tài))。但如果探頭是儀器專配的(不只是簡單的短路環(huán)或?qū)Ь€),首先要檢查其功率承受能力是否滿足要求。測試時近場探頭需貼近器件或PCB板,為了定位“關(guān)鍵探測點(diǎn)”和最大化探頭方向 , 應(yīng)首先在整個區(qū)域進(jìn)行水平及垂直掃描(使探頭在各個方向相互垂直),然后在信號最強(qiáng)的區(qū)域集中進(jìn)行掃描。
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