基于NAND FLASH的高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
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2．3 壞塊處理技術(shù)
NAND型FLASH芯片在出廠時(shí)內(nèi)部會(huì)隨機(jī)分布有壞塊，壞塊是指一個(gè)塊內(nèi)含有一位或更多位的數(shù)據(jù)單元無(wú)法進(jìn)行操作，并且在芯片的長(zhǎng)期使用過(guò)程中不可避免地還會(huì)增加新的壞塊。不允許對(duì)壞塊進(jìn)行擦除和編程操作，這樣會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)錯(cuò)誤。因此在操作FLASH的過(guò)程中，需要建立一個(gè)壞塊管理列表，將芯片內(nèi)部的所有壞塊信息寫(xiě)入列表中，并且在出現(xiàn)新的壞快時(shí)能夠及時(shí)的更新壞塊管理列表。
FLASH內(nèi)部的壞塊有兩種，一種是芯片出廠時(shí)本身含有的初始?jí)膲K，此類壞塊廠家已經(jīng)標(biāo)明，通過(guò)讀取芯片每塊第一頁(yè)和第二頁(yè)的第4 096個(gè)字節(jié)來(lái)進(jìn)行判斷，如果均是“FFH”，則認(rèn)為此塊是有效塊，否則便為壞塊。另一種則是在使用過(guò)程中新增加的壞塊，可以通過(guò)讀狀態(tài)寄存器來(lái)進(jìn)行判斷。
壞塊管理列表的建立和更新可以使用將其內(nèi)部地址空間和FLASH內(nèi)部塊地址一一對(duì)應(yīng)的映射方法，當(dāng)發(fā)現(xiàn)是壞塊時(shí)，只需將列表中對(duì)應(yīng)此塊地址的單元寫(xiě)入1比特“0”信息即可，而其余的地址單元仍是1比特“1”信息代表有效塊。在對(duì)FLASH的每一塊進(jìn)行操作之前，需要先讀取壞塊管理列表中對(duì)應(yīng)此塊地址單元的信息，如果發(fā)現(xiàn)是壞塊就跳過(guò)此塊不進(jìn)行操作，然后再進(jìn)行下一塊的判斷，直至找到有效塊時(shí)再進(jìn)行操作。壞塊管理列表的建立和更新分別如圖2、圖3所示。本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/191199.htm
評(píng)論