存儲(chǔ)大廠(chǎng)：CXL內(nèi)存將于下半年爆發(fā)？

據(jù)《ZDNet Korea》報(bào)道，三星電子存儲(chǔ)部門(mén)新業(yè)務(wù)規(guī)劃團(tuán)隊(duì)董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內(nèi)存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工藝技術(shù)生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存顆粒。

除了CMM-D模塊，三星還在開(kāi)發(fā)一系列CXL存儲(chǔ)產(chǎn)品。其中包括集成多個(gè)CMM-D模塊的CMM-B內(nèi)存盒模塊，以及將DRAM內(nèi)存與NAND閃存顆粒相結(jié)合的CMM-H混合存儲(chǔ)模塊。

Choi Jang-seok強(qiáng)調(diào)，隨著CXL3.1技術(shù)的采用，CXL內(nèi)存資源可以在多個(gè)主機(jī)之間共享，預(yù)計(jì)CXL市場(chǎng)將在今年下半年蓬勃發(fā)展，在2028年左右實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。

崔章錫還透露，三星正在內(nèi)部研究一款名為CMM-DC的新產(chǎn)品。這款產(chǎn)品將以CMM-D模塊為基礎(chǔ)，提供計(jì)算能力。

此外，三星即將推出的CMM-D2.0內(nèi)存模塊遵循CXL2.0協(xié)議，該協(xié)議是增強(qiáng)數(shù)據(jù)中心互連性和效率的標(biāo)準(zhǔn)。這些模塊采用1ynm工藝DRAM顆粒，代表20-10nm級(jí)別的第二代DRAM技術(shù)。該技術(shù)能夠生產(chǎn)提供更高容量同時(shí)保持性能效率的內(nèi)存模塊。

報(bào)道指出，CMM-DC產(chǎn)品的內(nèi)部研究表明了未來(lái)的發(fā)展方向，三星的目標(biāo)是將計(jì)算能力與CXL內(nèi)存模塊相結(jié)合。內(nèi)存和計(jì)算功能的融合可以為更高效、更強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理架構(gòu)鋪平道路。

據(jù)業(yè)界信息，CXL全稱(chēng)ComputeExpressLink，是一個(gè)全新的得到業(yè)界認(rèn)同的互聯(lián)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其可以有效解決內(nèi)存墻和IO墻的瓶頸。PCI-e技術(shù)是CXL技術(shù)的底層基礎(chǔ)，CXL則可視為PCI-e技術(shù)的再提高版本，并且，CXL延伸了更多變革性的功能。

目前，CXL已經(jīng)發(fā)表了1.0/1.1、2.0、3.0/3.1五個(gè)不同的版本，CXL2.0內(nèi)存的池化（Pooling）功能較好的實(shí)現(xiàn)了以?xún)?nèi)存為中心的構(gòu)想；CXL3.0則實(shí)現(xiàn)Memorysharing（內(nèi)存共享）和內(nèi)存訪(fǎng)問(wèn)，在硬件上實(shí)現(xiàn)了多機(jī)共同訪(fǎng)問(wèn)同樣內(nèi)存地址的能力；CXL3.1，則具備開(kāi)啟更多對(duì)等通信通道的能力，實(shí)現(xiàn)了對(duì)內(nèi)存和存儲(chǔ)的獨(dú)立分離，形成獨(dú)立的模塊，并且新規(guī)范將支持目前仍在研發(fā)中的DDR6內(nèi)存。

2021年5月，三星開(kāi)發(fā)出全球首款基于CXL的DRAM技術(shù)；2022年推出業(yè)界首款高容量512GB CXL DRAM；2023年5月開(kāi)發(fā)出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM；2024年第二季度推出支持CXL 2.0的256GB CMM-D產(chǎn)品，并正在與主要客戶(hù)進(jìn)行驗(yàn)證。

目前，除了三星，其他兩位大廠(chǎng)也在布局該技術(shù)。美光在2023年8月推出了其 CXL 2.0 內(nèi)存模塊；SK海力士在2023年10月展示了其CXL產(chǎn)品，包括基于CXL的計(jì)算內(nèi)存解決方案 (CMS) 2.0，使用近內(nèi)存處理 (NMP) 架構(gòu)來(lái)解決 CPU 內(nèi)存瓶頸問(wèn)題并提高處理性能。