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無(wú)鉛器件電鍍層的性能和成本比較

作者: 時(shí)間:2010-10-27 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

是利用電解作用在機(jī)械制品上沉積出附著良好的、但性能和基體材料不同的金屬覆層的技術(shù)。層比熱浸層均勻,一般都較薄,從幾個(gè)微米到幾十微米不等。通過(guò),可以在機(jī)械制品上獲得裝飾保護(hù)性和各種功能性的表面層,還可以修復(fù)磨損和加工失誤的工件。鍍層大多是單一金屬或合金,如鈦靶、鋅、鎘、金或黃銅、青銅等;也有彌散層,如鎳-碳化硅、鎳-氟化石墨等;還有覆合層,如鋼上的銅-鎳-鉻層、鋼上的銀-銦層等。無(wú)鉛電鍍中,電鍍層大體有五種,本文中我們將著重分析這些無(wú)鉛電鍍和成本,以及毛刺的處理。

  一、五種外部鍍層分析
  對(duì)現(xiàn)有資料進(jìn)行研究,并通過(guò)與知名組織(如iNEMI和JEDEC)交流互動(dòng)對(duì)電子產(chǎn)業(yè)進(jìn)行評(píng)估,任何器件制造商均可從眾多無(wú)鉛鍍層解決方案中精選出若干方案。安森美半導(dǎo)體首先考慮了五種外部鍍層,每一種解決方案都有優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)。這五種外部鍍層包括:錫-銀(Sn-Ag)鍍層、錫-鉍(Sn-Bi)鍍層、錫-銅(Sn-Cu)鍍層、預(yù)鍍鎳-鈀-金(Ni-Pd-Au)引腳框架和純霧錫(Puremattetin)鍍層。

  1、Sn-Ag鍍層的錫含量約為3.5%,具有良好的可焊性和機(jī)械屬性。但是Sn-Ag鍍層容易產(chǎn)生錫毛刺,這是所有高錫含量替代方案的主要可靠性風(fēng)險(xiǎn)。由于材料成本較高,并且鍍?cè)?platingbath,電鍍?nèi)芤?控制程序復(fù)雜,Sn-Ag鍍層昂貴。從“總擁有成本”的角度考慮,Sn-Ag鍍層并不能作為一種完全可行的選擇。
  自2000年以來(lái),Sn-Bi作為引腳鍍層已在日本得到廣泛應(yīng)用,因此人們開始對(duì)其密切關(guān)注。當(dāng)鉍含量為3%時(shí),Sn-Bi的熔點(diǎn)約為220℃,選擇該鍍層肯定可行。但是Sn-Bi材料易碎,鍍層控制復(fù)雜,而且它會(huì)產(chǎn)生錫毛刺。關(guān)于鉍的真實(shí)毒性也有疑問(wèn),且含鉛焊料后向兼容性問(wèn)題仍存在爭(zhēng)議。內(nèi)部篩選實(shí)驗(yàn)和研究確認(rèn)了這些Sn-Bi問(wèn)題的存在,所以這種鍍層只能作為臨時(shí)解決方案。

  2、Sn-Cu鍍層可形成一種銅含量為0.7%的高強(qiáng)度低熔點(diǎn)合金,其熔點(diǎn)為227℃。此鍍層的價(jià)格相對(duì)低廉,且具有良好的可焊性。但是Sn-Cu容易產(chǎn)生錫毛刺,甚至合金成份的微小改變就會(huì)大大改變共晶溫度。由于精確控制鍍層成份困難,且Sn-Cu引腳加工與合金(Alloy)42引腳框架不兼容,所以該系統(tǒng)不能作為一種可行的解決方案。

  3、預(yù)鍍的Ni-Pd和Ni-Pd-Au引腳框架作為無(wú)鉛焊接的一種可選方案,于1989年首先由德州儀器(TI)引進(jìn)。其主要優(yōu)勢(shì)在于該技術(shù)適于商業(yè)應(yīng)用,且封裝工藝得以簡(jiǎn)化。但是對(duì)大批量產(chǎn)品應(yīng)用而言,Ni-Pd-Au解決方案不具備優(yōu)勢(shì),主要原因在于其成本較高,而且根據(jù)現(xiàn)有資料記錄,該方案存在可靠性問(wèn)題。此外,鍍層在彎曲時(shí)會(huì)發(fā)生斷裂,而且在焊接、引線接合和成模時(shí)也存在問(wèn)題。鈀和金成本高且難以預(yù)計(jì),引腳框架的供貨商數(shù)量也有限,這些都是該方案的劣勢(shì)所在。由于此鍍層系統(tǒng)與Alloy42引腳框架不兼容,其應(yīng)用范圍進(jìn)一步受限。因此,對(duì)于大批量生產(chǎn)線而言,這種解決方案不是一種可行的備選方案。

  4、純霧錫是大批量半導(dǎo)體制造商鍍層應(yīng)用的首選。其原因眾多:對(duì)于各種引腳框架而言,霧錫工藝不僅具有良好焊接特性,而且它是一種低成本解決方案,不存在Sn-Ag、Sn-Bi和Sn-Cu系統(tǒng)中的雙合金成份控制問(wèn)題。

  5、霧錫解決方案得以廣泛應(yīng)用的另一個(gè)關(guān)鍵因素是其供應(yīng)充足,此因素與上述技術(shù)密切相關(guān)。霧錫最重要的一個(gè)優(yōu)勢(shì)可能在于它可與含鉛焊料后向兼容。鑒于世界上很許多無(wú)鉛政策在執(zhí)行上存在延遲,這種后向兼容仍較為重要。
  由于安森美半導(dǎo)體在特定應(yīng)用中使用霧錫有很長(zhǎng)的歷史,因此霧錫工藝解決方案已成為大多數(shù)需要無(wú)鉛外部鍍層的產(chǎn)品的首選。

  二、降低鍍層毛刺的措施
  上面討論了鍍層成份的選擇問(wèn)題,現(xiàn)在我們將重點(diǎn)探討可降低風(fēng)險(xiǎn)的策略,方案必須可以有效地解決與該鍍層形成錫毛刺相關(guān)的可靠性問(wèn)題。

  研究表明,下列四種方案是減少錫毛刺產(chǎn)生的最可行解決方案:對(duì)霧錫鍍層進(jìn)行退火,增加霧錫鍍層的厚度,在引腳鍍層中加入鎳阻擋層(barrier),對(duì)錫鍍層進(jìn)行回流。

  就減少毛刺的問(wèn)題而言,成本效益最高的方案是對(duì)鍍錫層進(jìn)行退火。大量研究表明,在銅襯底上對(duì)錫鍍層進(jìn)行退火可以大大減少毛刺的產(chǎn)生。具體操作方法是在溫度為150℃下,對(duì)錫鍍層進(jìn)行一小時(shí)的退火。根據(jù)現(xiàn)有的資料記載,在鍍層操作完成后24小時(shí)內(nèi)對(duì)錫鍍層進(jìn)行退火較為有效。

  從資料中我們可以清楚了解,盡管錫鍍層的最佳厚度尚不清楚,錫沉積越厚,越不容易產(chǎn)生毛刺。根據(jù)資料中提供的參考數(shù)據(jù),安森美半導(dǎo)體方案中的錫鍍層仍將集中介于7.5至12.5微米之間。我們相信,該方案可以在不影響鍍層質(zhì)量的前提下,減少毛刺,提高成本效益。

  另一種被廣泛認(rèn)可的減少毛刺方案是在鎳阻擋層上加入錫鍍層。然而,在鍍層上加入鎳會(huì)使許多產(chǎn)品的成本增加,在市場(chǎng)上失去價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。此外,眾所周知,盡管鎳阻擋層會(huì)使毛刺產(chǎn)生的時(shí)間增加,但這很大程度上取決于所使用的錫鍍?cè)☆愋汀4蠹移毡檎J(rèn)為,鎳之所以可以減少毛刺產(chǎn)生,原因在于它會(huì)對(duì)錫鍍層中的應(yīng)力產(chǎn)生影響。
  由于使用鍍鎳減少毛刺的產(chǎn)生取決于所使用的錫鍍?cè)。采腊雽?dǎo)體采用的對(duì)策側(cè)重于選擇基于甲基硫酸(MSA)的錫鍍層化學(xué)方法。MSA電鍍化學(xué)方法不僅可以控制錫鍍層中產(chǎn)生的應(yīng)力,而且可以產(chǎn)生一種不易產(chǎn)生毛刺的鍍層。

  另一種減少毛刺的方案是在錫熔點(diǎn)232℃以上進(jìn)行錫回流,但是這種處理方法的有效性尚不清楚。因此,錫回流不能作為減少毛刺產(chǎn)生的工藝。但是,安森美半導(dǎo)體采用的方案包括了采用回流測(cè)試作為確定總體霧錫工藝有效性的方法。這種方法在很大程度上重復(fù)了最后的封裝工藝。
  需要對(duì)所有含大量錫的鍍層進(jìn)行持續(xù)測(cè)試和檢查,以確保毛刺的產(chǎn)生得以控制。用于錫毛刺評(píng)估的測(cè)試條件和檢查程序在過(guò)去幾年中發(fā)生了重大變化,可以將其看作是一個(gè)變化的目標(biāo)。JEDEC和iNEMI的動(dòng)議已經(jīng)帶動(dòng)了越來(lái)越多的標(biāo)準(zhǔn)化工作,以確定進(jìn)行上述評(píng)估所運(yùn)用的方法。安森美半導(dǎo)體將嚴(yán)格遵守JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD22A121中的建議。該標(biāo)準(zhǔn)不僅要求對(duì)特定的溫度循環(huán)、環(huán)境溫度/濕度儲(chǔ)存和高溫/高濕度存儲(chǔ)進(jìn)行測(cè)試,還規(guī)定了所需的錫毛刺檢查程序。

  除了監(jiān)測(cè)當(dāng)前的電鍍化學(xué)方法外,還將在這些新近議定并得以標(biāo)準(zhǔn)化的JEDEC測(cè)試條件下進(jìn)行實(shí)驗(yàn),以便將樣品組錫毛刺與下列屬性相。
  1.霧錫鍍層的厚度范圍為5至15微米;
  2.回流與不回流的;
  3.銅引腳框架與鍍銅Alloy42引腳框架的比較;
  4.基于MSA的不同錫鍍?cè)』瘜W(xué)成分。

  三、結(jié)束語(yǔ)
  龍芯世紀(jì)PCB事業(yè)部一直在無(wú)鉛電鍍工藝的技術(shù)提升中做著不懈努力,我公司引進(jìn)設(shè)備,研發(fā)使用了半自動(dòng)直線電鍍線,逐步淘汰了手工業(yè)工作方式,現(xiàn)在基本杜絕了電鍍質(zhì)量事故的發(fā)生。世紀(jì)芯反向技術(shù)研究中心是目前國(guó)內(nèi)最具技術(shù)實(shí)力和影響力的IC與軟件解析的反向研究機(jī)構(gòu),擁有國(guó)際領(lǐng)先的技術(shù)解析設(shè)備、專用的算法解析軟件、和技術(shù)精湛的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì),能依據(jù)客戶提供的完好樣板/樣機(jī)的克隆、芯片解密,并承諾與原PCB電路100%相同。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/191503.htm


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