利用安森美IGBT實現(xiàn)高能效的高性能開關應用

　　•3) 功率因數(shù)校正
　　安森美半導體的600伏專用于功率因數(shù)校正和升壓的600伏IGBT采用第一代場截止工藝，可以低廉價格實現(xiàn)可靠工作、低導通電壓和低開關損耗，提升系統(tǒng)開關效率，節(jié)省線路板空間，包括NGTG50N60FWG和NGTG30N60FWG等?；谶@類應用的特殊性，這類IGBT不含并聯(lián)續(xù)流二極管，適用于太陽能逆變器升壓轉換器、空調機空濾引述校正和不間斷電源功率因數(shù)校正等低頻硬開關或是高頻軟開關電路。安森美半導體開發(fā)的單相3千瓦功率因數(shù)校正系統(tǒng)可用于IGBT的測試。

　　•4) 逆變式電焊機
　　安森美半導體還提供一系列可用于逆變式電焊機的600伏和1200伏從15到50安培IGBT(包括NGTB50N120FL2和NGTB50N60FLWG等)，采用場截止第一代工藝和場截止第二代工藝，這些IGBT有較低的導通壓降和開關損耗，可降低并聯(lián)續(xù)流二極管正向導通壓，提升系統(tǒng)開關效率，低功率損耗，節(jié)省線路板空間，適用于全橋式逆變電焊機、半橋式逆變電焊機、電焊機功率因數(shù)校正、高頻電焊機、激光切割機等高速開關應用。

　　•5) 不間斷電源和太陽能逆變器
　　安森美半導體用于不間斷電源和太陽能逆變器 (包括中點鉗位式逆變器) 的1200伏和600伏IGBT(包括NGTB50N120FL2和NGTB50N60FLWG等)采用場截止第一代和場截止第二代工藝，價格低廉，工作可靠，導通電壓低，開關損耗小，并聯(lián)的高速續(xù)流二極管正向導通電壓低。這些器件適用于電池充電器、不間斷電源、功率因數(shù)校正、全橋和半橋式太陽能逆變器/變換器、中點鉗位式逆變器、升壓變換器半/全橋拓撲結構。安森美半導體提供不同功率的逆變器用來測試分立式IGBT和IGBT模塊。

　　安森美半導體的客戶已成功使用其場截止型第一代IGBTNGTB50N60FLWG開發(fā)出了各種應用，如功率10 千伏安、功率因數(shù)0.9的不間斷電源，以及采用半橋諧振拓撲結構的1450瓦廚用電爐?？蛻粽J為，安森美半導體場截止型第一代IGBT的性能達到了市場上最好的性能;其IGBT在電磁爐上的溫升低于其它2款IGBT。

　　未來，安森美半導體將推出超過20款第四代 (場截止型第二代) IGBT以及專用于逆變式電焊機IGBT，并繼續(xù)開發(fā)IGBT模塊。無論客戶的產品需求如何，安森美半導體總有一款高性能、高能效的IGBT方案能夠滿足要求，幫助設計工程師設計出高能效及高性能的產品。