基于SEP0611的電源管理驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
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4 驅(qū)動(dòng)驗(yàn)證
4．1 驗(yàn)證環(huán)境和方法
驅(qū)動(dòng)驗(yàn)證在江蘇東大集成電路有限公司生產(chǎn)的功耗測(cè)試板上進(jìn)行，該測(cè)試板編號(hào)為：SEUIC東集PCB602DEMO0611，生產(chǎn)日期為2011． 05．13。測(cè)試時(shí)：CPU運(yùn)行在800MHz，AHB總線運(yùn)行在180MHz，DDR運(yùn)行在400MHz；測(cè)試板采用4路LDO供電，4路分別為core、arm、ddr phy、cpu io。測(cè)試方法為：1) 用萬(wàn)用表的毫安檔測(cè)試電流，每測(cè)一路，要將該路的0Ω電阻吹掉，將萬(wàn)用表串入電路，同時(shí)保證其他路的0Ω電阻連接。2)通過操作linux操作系統(tǒng)中sysfs文件系統(tǒng)提供的接口讓測(cè)試板進(jìn)入休眠，即是在終端輸入命令：echo_mem>sys／power／state。3)通過電源鍵(或RTC定時(shí)中斷)喚醒系統(tǒng)，喚醒后驗(yàn)證設(shè)備驅(qū)動(dòng)功能。
4. 2 驗(yàn)證結(jié)果
測(cè)試的0Ω電阻上的電流值如表1所示。b-s(mA)列代表系統(tǒng)休眠之前某電阻上的電流值；i-s(mA)列代表系統(tǒng)休眠之時(shí)某電阻上的電流值；a-s(mA)列代表系統(tǒng)完成喚醒時(shí)某電阻上的電流值；最后一列除了包含了上面提到了4路外，還包含DDR顆粒(ddr_mem)和外設(shè)(io)這兩路。在休眠之前和完成喚醒后，系統(tǒng)都處于空閑模式。本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/194210.htm
由表1可見，系統(tǒng)進(jìn)入休眠狀態(tài)，core、arm、ddr_phy、cpu_io這四路的電流下降為0，因?yàn)檫@4路電壓都為0，而此時(shí)DDR顆粒和外設(shè)上分別有14mA和17mA的電流。在測(cè)量各路電流的同時(shí)，還采用穩(wěn)壓源供電，測(cè)試了板級(jí)總電流：系統(tǒng)休眠之前的板級(jí)總電流為287mA，休眠之時(shí)為23mA，完成喚醒時(shí)為284mA。
在系統(tǒng)完成喚醒后，測(cè)試了系統(tǒng)中所有設(shè)備驅(qū)動(dòng)的工作情況：系統(tǒng)中的包括TIMER、CPU這樣的系統(tǒng)設(shè)備工作正常：系統(tǒng)中的外設(shè)驅(qū)動(dòng)包括UART、LCDC、I2C、I2S、SDIO、NAND、USB等都能正常工作。
5 結(jié)論
由于在系統(tǒng)休眠時(shí)4路LDO的掉電和除常開區(qū)外各路時(shí)鐘的切斷，系統(tǒng)休眠的電流降到了23mA。這個(gè)數(shù)值為系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)的8％，大大降低了系統(tǒng)的功耗。目前的休眠電流主要消耗在DDR顆粒和外部io上，這都有改進(jìn)的空間，例如：可以通過配置DDR控制器優(yōu)化DDR時(shí)序、打開DDR的低功耗模式；采用具有更低功耗的DDR3顆粒；可以檢查整板電路，是否在測(cè)試板休眠時(shí)有回路導(dǎo)致電流泄漏；可以檢查io電路，等等?？傮w來說，本設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了SEP0611處理器板級(jí)的休眠和喚醒、所有設(shè)備驅(qū)動(dòng)的休眠和喚醒；完成了電源管理驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)；并在功耗測(cè)試板上驗(yàn)證了驅(qū)動(dòng)的正確性。這對(duì)以后管理、降低SEP0611平臺(tái)的整板功耗有重要意義，對(duì)其他平臺(tái)下的電源管理驅(qū)動(dòng)也有一定的借鑒意義。
評(píng)論