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Vishay推出業(yè)內首款通過汽車電子元件標準

—— AEC-Q101認證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
作者: 時間:2013-12-12 來源:電子產品世界 收藏

  2013 年 12 月12 日, Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出通過AEC-Q101認證的采用非對稱PowerPAK® SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET®功率---SQJ940EP和SQJ942EP。 Siliconix 的這兩款器件可用于車載應用,把高效同步DC/DC降壓轉換器所需的高邊和低邊都組合進小尺寸5mm x 6mm封裝里,比使用分立的方案節(jié)省空間,低邊MOSFET的最大導通電阻低至6.4mΩ。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/198520.htm

  日前發(fā)布的這些MOSFET是業(yè)內首批通過汽車級認證的采用非對稱封裝的雙芯片MOSFET,為降低傳導損耗,增大了低邊MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高溫下工作,具有車內任何位置的應用所需的耐用性和可靠性。器件尤其適用于車載通信娛樂系統,例如收音機和GPS系統。

  SQJ940EP和SQJ942EP使設計者能夠選用不同的導通電阻值。在10V電壓下,SQJ940EP的溝道2低邊MOSFET的最大導通電阻為6.4mΩ,溝道1高邊MOSFET的導通電阻為16mΩ。與雙芯片對稱方案相比,SQJ940EP的低邊導通電阻低31%,而尺寸同樣小巧。SQJ942EP在10V下的最大低邊導通電阻為11mΩ,高邊MOSFET的導通電阻為22mΩ。

        SQJ940EP產品數據表鏈接地址:http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121018。

        SQJ942EP產品數據表鏈接地址:http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121019。

  這些MOSFET通過了100%的Rg和UIS測試,符合RoHS,無鹵素。

  器件規(guī)格表:

編號

SQJ940EP

SQJ942EP

通道

1

2

1

2

VDS (V)

40

40

VGS (V)

± 20

± 20

最大RDS(ON) (m?) @

10 V

16

6.4

22

11

4.5 V

18.5

7.6

26

13

  SQJ940EP和SQJ942EP現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。



關鍵詞: Vishay MOSFET

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