臺(tái)積電、英特爾、三星10納米量產(chǎn)之戰(zhàn)　即將點(diǎn)燃戰(zhàn)火

　　10納米系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)戰(zhàn)爭(zhēng)已經(jīng)開始了，三星電子(Samsung Electronics)、英特爾(Intel)和臺(tái)積電出面爭(zhēng)奪主導(dǎo)權(quán)，研發(fā)作業(yè)正如火如荼地進(jìn)行中，對(duì)于相關(guān)設(shè)施的投資金額也大幅提高了。

　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，三星在業(yè)績(jī)發(fā)表會(huì)中表示，2016年底10納米系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)計(jì)劃沒有任何變動(dòng)，為了按照計(jì)劃進(jìn)行，目前正動(dòng)員所有的準(zhǔn)備力量。

　　英特爾和臺(tái)積電也都宣布了10納米芯片量產(chǎn)投資計(jì)劃，英特爾表示2016年的設(shè)備投資金額指標(biāo)將比2015年擴(kuò)大30%，約為95億美元;臺(tái)積電也提高了設(shè)備投資金額，宣布2016年約投資90億~100億美元， 2015年臺(tái)積電的投資額約為81億美元，2016年的投資規(guī)模至少增加11%，最多增加到23%。

　　三大廠提高投資額與10納米制程的轉(zhuǎn)換有關(guān)。展開10納米芯片量產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)的主要理由，是為了要搶奪蘋果(Apple)和高通(Qualcomm)這兩個(gè)大客戶。高通表示，計(jì)劃在三星或臺(tái)積電以10納米制程生產(chǎn)新一代的Snapdragon 830，將委托給競(jìng)爭(zhēng)力較高的一方來(lái)生產(chǎn)。

　　業(yè)界相關(guān)人士表示，在14、16納米制程時(shí)被三星搶去很多訂單的臺(tái)積電，計(jì)劃將在10納米時(shí)翻盤，臺(tái)積電并指出，2016年10納米量產(chǎn)準(zhǔn)備的競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)決定2017年以后的業(yè)績(jī)。

　　英特爾還沒有正式進(jìn)入代工產(chǎn)業(yè)，所以對(duì)于10納米制程的準(zhǔn)備與客戶公司沒有什么關(guān)系。不過之前英特爾曾經(jīng)公開表示過，將在2017年上市的新型CPU Cannonlake將以10納米制程來(lái)量產(chǎn)，所以在日程上也不能再推延了。

　　臺(tái)積電、英特爾、三星對(duì)于10納米系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)的準(zhǔn)備將會(huì)在2016年中左右使得相關(guān)設(shè)備業(yè)界受惠，大部分是前段制程的設(shè)備部分，并預(yù)計(jì)在10納米制程中不使用極紫外光(EUV)設(shè)備，而將采用浸潤(rùn)式(Immersion)設(shè)備來(lái)進(jìn)行制造。

　　分析師表示，多重曝光(Multi-patterning)的比重增加，所以預(yù)估蒸鍍和蝕刻的設(shè)備部分將會(huì)受惠。在蒸鍍部分，比起化學(xué)氣相沉積(CVD)來(lái)說(shuō)，能以原子層為單位來(lái)鍍上薄膜的原子層沉積(ALD)的設(shè)備需求預(yù)計(jì)將大幅增加。隨著線寬縮減程度變高，原本的CVD制程逐漸被ALD制程所取代。

　　根據(jù)Miraeasset資料顯示，以2014年為基準(zhǔn)，全球ALD設(shè)備的市占率各為：艾司摩爾(ASML)53%，東京威力科創(chuàng)(Tokyo Electron)27%，Jusung Engineering 6%，科林研發(fā)(Lam Research)5%，Wonik IPS 5%，Aixtron 2%。2016年開始Eugene Technology也計(jì)劃將首次進(jìn)入ALD設(shè)備的市場(chǎng)。

　　市調(diào)業(yè)者Gartner預(yù)測(cè)表示，2016年與邏輯芯片(Logic Chip)有關(guān)的設(shè)備投資將比2015年增加5%，達(dá)到約322億美元的水準(zhǔn)。