英特爾14nm制程比臺積電強太多 但龍頭優(yōu)勢難保

　　英特爾 22 納米和 14 納米晶體管鰭片細(xì)節(jié)對比：

　　所以，質(zhì)疑英特爾在晶體管性能優(yōu)勢競爭中落后的人都該閉嘴了。為什么，將下面三星的 14 納米 FinFET 工藝晶體管細(xì)節(jié)與上面英特爾的對比就能明白。在 22 納米時代，英特爾的晶體管鰭片的確不夠出色，但 14 納米鰭片看起來已近乎“垂直”，使得了鰭片更高、更薄，更易于提高晶體管的驅(qū)動電流和性能。

　　而三星的 14 納米 FinFET 工藝晶體管細(xì)節(jié)，請注意看，很顯然更像是 2011 年英特爾 22 納米工藝時代的水平，宣稱超越難免有點大嘴了，畢竟無論如何還是基于第一代 FinFET 工藝打造。

　　三星 14 納米 FinFET 晶體管細(xì)節(jié)圖：

　　當(dāng)然了，性能突飛猛進(jìn)不太現(xiàn)實，而且英特爾考慮到了移動領(lǐng)域和其他應(yīng)用的競爭，畢竟在這些領(lǐng)域不需要非常高的 CPU 頻率。但說到頻率，英特爾的 14nm 駕馭大于 4GHz 不會存在任何技術(shù)障礙，而代工廠的 14/ 16 納米當(dāng)前仍然相當(dāng)困難。

　　代工廠一直在進(jìn)步

　　不可否認(rèn)，在芯片制造業(yè)，各大代工廠尤其是三星和臺積電的進(jìn)步非常之大，并且正在加快步伐縮減與英特爾的技術(shù)差距，盡管英特爾長期處于領(lǐng)先，但當(dāng)前十分需要將差距拉開更大。

　　我們不清楚英特爾是否是缺乏競爭壓力，但在移動領(lǐng)域，三星 14 納米 FinFET、臺積電 16 納米 FinFET 兩大工藝的競爭可謂空前慘烈，從合伙代工蘋果 A9，到爭搶各路訂單，殺得好不熱鬧。更重要的是，兩大代工廠已經(jīng)做好了部署全新工藝制程的準(zhǔn)備，不止是第二版，還包括第三版。

　　例如說，臺積電第一代是標(biāo)準(zhǔn)的 16 納米 FinFET 工藝，之后推出的第二代 FinFET Plus(FF+) 增強版已經(jīng)部署。至于下一代 FinFET Compact(FFC)也已經(jīng)完成了設(shè)計研發(fā)，并確定本季度就可以投入量產(chǎn)，提前了大半年。

　　三星方面，其第一代 14 納米是 Low Power Eatly(LPE)，現(xiàn)在第二代 Low Power Plus(LPP)已經(jīng)開始量產(chǎn)，重點產(chǎn)品為 Snapdragon 820 和 Exynos 8890。三星高管聲稱，衍生于第二代的下一版 14 納米也將很快推出。

　　更長遠(yuǎn)的計劃上，無論是三星和臺積電都已經(jīng)開始朝著 10 納米的目標(biāo)邁進(jìn)。臺積電表示，10 納米今年即可試產(chǎn)，正式批量生產(chǎn)等到 2016 年年底，或者是 2017 年的第一季度。至于三星也提供了大概相同的線路圖，堅稱 2016 年年底 10 納米就可量產(chǎn)，2017 年一定會出現(xiàn)在手機和平板電腦上。

　　反觀英特爾，不僅桌面處理器“Tick-Tock”策略在兩年前已經(jīng)被打破，而且第一款基于 10 納米工藝的產(chǎn)品按計劃要等至 2017 年下半年才能推出。除非英特爾改革研發(fā)模式，否則今年年底將喪失工藝領(lǐng)先的地位。作為半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的巨頭，英特爾長期自信滿滿，但在當(dāng)前競爭環(huán)境中，還真的得加把勁了。