英特爾14nm制程比臺積電強太多 但龍頭優(yōu)勢難保

　　過去幾年時間里，英特爾雖然在桌面領(lǐng)域仍過著“無敵是多么空虛”的日子，但是圍繞其芯片制造技術(shù)的話題討論越來越多了，特別是與很多開始被人熟知的芯片制造廠商相比，比如臺灣的芯片制造商臺積電。

　　很多話題討論的開始，均是基于每一次非英特爾芯片制造商對制造工藝的升級。最初，臺積電和三星明確表示，將以最快的速度從“20 納米”過渡的“14/16納米”，而且將會重點發(fā)展稱之為“FinFET”的晶體管結(jié)構(gòu)器件，重點宣傳新工藝相比傳統(tǒng)而言芯片面積將得到大幅縮減，適配每一代工藝制程。

　　另一方面，當時英特爾也正處于 22 納米工藝技術(shù)到 14 納米的過渡中，并且英特爾也掌握了第二代 FinFET(Tri-Gate)器件技術(shù)。不過，英特爾的動作太慢了，導致三星和臺積電各自挑釁稱，其 16 和 14 納米已經(jīng)領(lǐng)先英特爾，而英特爾仍無法完全脫離 22 納米的工藝制程，并且還有事實證明，臺積電的 20 納米工藝的晶體管密度比英特爾的 22 納米更高。

　　英特爾從 22 納米過渡到 14 納米的時間實在過于漫長，這點不假，而且英特爾也意識到了，在工藝制程技術(shù)同步發(fā)展的過程中，晶體管密度的競爭相當重要。事實上，面對民間乃至業(yè)界廣為談?wù)摰恼`導性話題，英特爾并沒有刻意的做任何回應(yīng)，但當英特爾正式公布自家 14 納米技術(shù)時，才真正確定了不可動搖的領(lǐng)先地位。

　　下圖為英特爾官方提供的邏輯面積比例圖：

　　從這個英特爾的圖來看，英特爾承認自家的 32 納米不如 28 納米工藝，主要是指柵極與柵極之間的間距前者不如后者。再到 22 納米與 20 納米工藝的對比，結(jié)果亦是如此。不過，確實只有在 14 納米和 16 納米工藝節(jié)點，才超過了其余競爭對手，確立起領(lǐng)先的地位。

　　所以，三星和臺積電所說的都是事實，這兩大越來越出色的芯片代工廠在 20 納米制程時代確實領(lǐng)先于英特爾 22 納米。但不可否認英特爾新一代 14 納米更為出色，至少晶體管密度的優(yōu)勢上超過了其他對手的 14/16 納米工藝節(jié)點。

　　工藝是一回事，那晶體管的實際性能呢?

　　多年以來，英特爾從未放棄過任何吹噓自己的芯片技術(shù)，只是在臺積電和三星上位之后收斂了很多。而且，難能可貴的是英特爾竟然沒有過度宣傳自家的第二代 FinFET 工藝，畢竟其余競爭對手在其 14 納米問世時，均處于第一代 FinFET 工藝水平。簡單的說，英特爾 14 納米正式問世之初，從晶體管性能的角度來看，整整領(lǐng)先了競爭對手一代。

　　在很多對芯片深度評測的機構(gòu)報告中，尤其是權(quán)威站點 ChipWorks，我們可以看到英特爾 14 納米晶體管所有性能指標均領(lǐng)先于其他競爭對手。更重要的是，ChipWorks 通過先進的透射電子顯微鏡觀察分析發(fā)現(xiàn)，英特爾 14 納米芯片的晶體管鰭片間距做得最為緊密，堪稱這個星球上迄今最先進的半導體工藝，全面領(lǐng)先代工廠的 14/16 納米。