7nm制程將成臺(tái)積電力壓英特爾主戰(zhàn)場

　　安謀(ARM)與臺(tái)積電共同宣布一項(xiàng)為期多年的協(xié)議，針對(duì)7納米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作，包括支援未來低功耗、高效能運(yùn)算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計(jì)解決方案。 這項(xiàng)協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan 基礎(chǔ)實(shí)體IP之16納米與10納米FinFET的合作。

　　事實(shí)上，以臺(tái)積電目前先進(jìn)制程之生產(chǎn)時(shí)程來看，屬于同一世代的10納米、7納米進(jìn)度已經(jīng)追上，甚至超越競爭對(duì)手英特爾(Intel)。

　　臺(tái)積電先進(jìn)制程10納米、7納米、5納米等部分，所有制程皆on schedule10納米制程2016第1季完成產(chǎn)品認(rèn)證，而10納米/7納米應(yīng)用非常廣泛，如手機(jī)、高階networking、Gaming、wearable等，具有快速的傳輸效率及低耗電量，而7納米預(yù)計(jì)2018年第1季開始量產(chǎn)。

　　據(jù)了解，英特爾估計(jì)在2018年確定10納米量產(chǎn)，7納米估計(jì)要到2019年，而三星電子(Samsung Electronics)目前10納米進(jìn)度較不確定，臺(tái)積電在10/7納米世代已經(jīng)展現(xiàn)雄心，并且展開多方客戶布局。

　　部分相關(guān)下游業(yè)者表示，未必會(huì)使用10納米產(chǎn)品，如20納米為16納米制程之過渡期產(chǎn)品，反而7納米才是下一世代鎖定的主力目標(biāo)，而此次臺(tái)積電與ARM的長期合約訂立，也確立7納米未來將成為國際大廠的主戰(zhàn)場。

　　據(jù)臺(tái)積電于先前公開法人說明會(huì)之說法，7納米制程可在2018年第1季提供，而依照臺(tái)積電之計(jì)劃，5納米將會(huì)在7納米制程的2年后推出，約在2020年上半可見端倪。