Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能夠使需要100V MOSFET的電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他應(yīng)用極大地提升效率、降低電壓振鈴并減弱電磁干擾(EMI)。

　　近25年前，Fairchild曾率先在PowerTrench MOSFET上取得了成功。新一代PowerTrench產(chǎn)品將會(huì)讓我們繼續(xù)處于MOSFET技術(shù)研發(fā)的最前沿，領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，并滿足客戶嚴(yán)苛的要求。

　　Fairchild副總裁兼iFET業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Suman Narayan表示：“相對(duì)于此前產(chǎn)品，我們的新型100V N溝道FET已取得巨大進(jìn)步。從能效到可靠性，新一代PowerTrench MOSFET系列產(chǎn)品在各個(gè)性能類別的表現(xiàn)幾乎都優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，堪稱行業(yè)領(lǐng)先?！?/p>

　　新型FDMS86181的主要優(yōu)點(diǎn)分別為：Rdson減少了40%，從而降低了導(dǎo)通損耗;最大程度降低柵極電荷(Qg)，從而減少了開關(guān)損耗。FDMS86181極低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)幾乎消除了產(chǎn)生振鈴的電壓過(guò)沖隱患，這就允許在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)少用或者不用緩沖器并降低電磁干擾(EMI)。 利用FDMS86181的這一獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，設(shè)計(jì)人員不但減小了產(chǎn)品的尺寸，同時(shí)還降低了物料(BOM)成本。

　　請(qǐng)?jiān)L問(wèn)fairchildsemi.com.cn/powertrench，獲取樣品以及關(guān)于新型100V PowerTrench MOSFET的更多信息。