存儲芯片產業(yè)逐步向大陸轉移 這是彎道超車最佳時期？

　　大陸芯片產業(yè)規(guī)模從2001年199億元增長到2014年3015億元，復合增速21%，遠高于同期全球產業(yè)7%增速，全球市場份額也從2001年的不到10%提升至2015年的45%左右，在全球半導體市場地位舉足輕重。

　　一批具有競爭力的企業(yè)開始走上國際舞臺。設計方面，主流ASSP、ASIC芯片關鍵技術取得突破，海思和展訊躋身2015年全球10大IC設計公司;制造方面，12英寸28nm關鍵技術取得突破，2015年中芯國際和華虹宏力位列全球10大制造企業(yè)第5、8名;封測方面，主流廠商已掌握WLCSP、SIP、FanOut等先進封裝技術，長電科技并購星科金朋后躋身前三甲，華天科技、通富微電已進入全球前十。

　　海思和展訊成為全球前十大IC設計企業(yè)(單位：百萬美元)

　　芯片自給率不足30%，“缺芯之痛”依然存在。大陸電子制造產業(yè)鏈芯片整體缺位的狀況沒有明顯改善。

　　晶體管結構變化提升技術難度。28nm之下，晶體管基礎結構的顛覆性變化導致了設計、制造、封測和裝備材料整條產業(yè)鏈技術復雜的大幅提升。以制造為例，從28nm到20nm，代工廠的節(jié)點設計規(guī)則和設計規(guī)則檢查用面積分別上升了58%和95%，遠超之前和之后的制程。技術難度提升是制程演進放緩的基礎因素。

　　資本開支顯著增大。投資一條28nm以下先進的存儲芯片生產線需要的設備投資額高達120-150億美元，同時由于芯片設計技術難度隨制程演進迅速增加，全球將少有廠商能承受如此大的資本開支。

　　摩爾定律已近極限，3D技術漸成主流，大陸絕佳追趕時點。在物理極限和經濟效益上遇到瓶頸之后，向三維空間堆疊的3D技術成為延續(xù)摩爾定律、提高芯片性能的主要手段。在平面微縮時代，制程演進按照每1.5-2年的速度持續(xù)進行，作為后進者的大陸企業(yè)難以跟上產業(yè)步伐，加速追趕更無從談起;3D時代，一是單層芯片的制程演進放緩;二是3D技術發(fā)展時間尚短，當下通過合資或者引進獲取的技術本身就與海外巨頭差距不大。消化吸收后再創(chuàng)新，有望實現(xiàn)彎道追趕。

　　存量市場加速轉移，增量市場就在大陸

　　移動終端最大生產國和消費國，產業(yè)轉移持續(xù)進行。2015年大陸生產了全球84%的手機，64%的平板電腦，63%的電視和83%的PC/NB，成為全球最大消費電子生產國;以中華酷聯(lián)米為代表的自主品牌繼續(xù)在全球市場高歌猛進。

　　全球存儲芯片產業(yè)向大陸轉移。存儲芯片是IC產業(yè)的基礎和大宗產品，在過去幾十年獲得極大的發(fā)展，存儲芯片產業(yè)逐步從美國、日本向臺灣、韓國轉移。中國大陸憑借其巨大的消費電子市場、龐大的電子制造業(yè)、相對低廉的勞動力成本和工程師紅利、以及政府對于集成電路產業(yè)的政策扶持等優(yōu)勢，吸引了全球各大存儲芯片廠商來華投資設廠，當前產業(yè)開始從臺韓向大陸轉移。

　　存儲芯片產業(yè)逐步向大陸轉移

　　云計算、物聯(lián)網(wǎng)，兩大增量市場在大陸。2014年DRAM下游應用，移動互聯(lián)網(wǎng)終端占比接近70%;服務器、物聯(lián)網(wǎng)設備等占比約30%。2014年NANDFlash下游需求移動互聯(lián)網(wǎng)終端占比近80%。市場可能擔心智能手機滲透率已經很高，行業(yè)增速放緩，存儲芯片下游需求增長堪憂。我們認為：短期內，移動終端出貨量增速放緩確實影響存儲芯片需求增速，但流量爆發(fā)下的云存儲設備、物聯(lián)網(wǎng)新終端和區(qū)塊鏈正加速爆發(fā)，有望形成新的需求增長點。

　　大視頻時代來臨，流量爆發(fā)拉升服務器存儲芯片需求。從文字到圖片再到視頻，當前全球每年產生的數(shù)據(jù)正在以ZB的數(shù)級增長，預計到2020年全球數(shù)據(jù)將超過40ZB，其中大約70%-80%的數(shù)據(jù)將存儲在云端。大型數(shù)據(jù)中心將拉動服務器內存市場需求。2015年服務器內存增速達到48%，增速超過移動內存，2016年依然將有40%的增速。

　　中國擁有全球最大的數(shù)據(jù)消費生產和消費群體，近年來IDC已成為我國戰(zhàn)略性基礎設施，各地紛紛搶建，形成烽火遍地之勢。中國IDC圈發(fā)布的報告顯示，2013年，我國數(shù)據(jù)中心產業(yè)市場規(guī)模已達262.5億元人民幣，同比增長24.7%，預計2016年市場規(guī)模將達到548.3億元，增速提高到30%以上。IDC建設將會帶動存儲芯片需求的增長。

　　存儲芯片是最大短板。存儲芯片產業(yè)規(guī)模占IC產業(yè)的四分之一，具有高技術壁壘、重資產的雙重特性。與邏輯芯片大多采用垂直分工不同，存儲芯片行業(yè)多為IDM模式，海外巨頭憑借極強的先發(fā)優(yōu)勢牢牢把握市場。以DRAM和NANDFlash兩種主要存儲芯片為例，1Q16DRAM市場93%份額由三星、海力士、美光三家占據(jù)，NANDFlash市場幾乎100%份額被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分，存儲器已成為大陸IC產業(yè)鏈的最大短板。

　　DRAM和NANDFlash是兩種最重要的存儲芯片

 3D技術興起有望成為大陸存儲芯片彎道追趕最佳時點

　　設計難度、資本開支、經濟效益三大因素制約摩爾定律繼續(xù)演進。半導體制程已按摩爾定律發(fā)展近50年，制程進步帶來的收益是成本下降和性能提升，付出的代價是技術復雜度提升和資本開支越來越大。在28nm之上，收益遠遠大于代價，制程嚴格按摩爾定律演進，基礎本來落后的大陸芯片產業(yè)難以跟上國際巨頭步伐，差距逐漸拉大。28nm之下，收益開始小于代價，經濟效益制約愈發(fā)明顯，制程演進放緩。

　　物聯(lián)網(wǎng)時代到來，長尾市場孕育巨大需求

　　物聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展的時代已經到來，Gartner預計2020年將有超過260億個各類設備接入物聯(lián)網(wǎng)，涉及工農業(yè)、金融保險、交通運輸、汽車、家居、醫(yī)療健康等各個領域，從應用到芯片都醞釀巨大市場。其中智能硬件、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)和智能汽車有望接力傳統(tǒng)移動互聯(lián)網(wǎng)終端，成為拉動存儲芯片需求新的增長點。大陸擁有全球最優(yōu)秀的互聯(lián)網(wǎng)公司，頂級的消費電子品牌和完整的電子制造供應鏈，有望引領此輪物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新，大陸存儲芯片行業(yè)近水樓臺，有望深度受益。

　物聯(lián)網(wǎng)孕育巨大芯片市場

　　存儲芯片市場規(guī)模將保持穩(wěn)定增長態(tài)勢。

 一方面，傳統(tǒng)移動終端雖然增速放緩，但對存儲空間的要求越來越大;

 另一方面，云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新領域將創(chuàng)造新的需求空間，大陸存儲芯片市場規(guī)模有望保持穩(wěn)定增長態(tài)勢。

　　中國存儲芯片市場規(guī)模將保持穩(wěn)定增長態(tài)勢(單位：億美元)