東芝要做64層3D閃存：三星48層情何以堪？

　　三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業(yè)聞名，而且已經(jīng)堆到了驚人的48層，工藝精良，不過據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》報(bào)道，東芝正在謀劃多達(dá)64層的NAND閃存，比三星多三分之一!

　　7月15日，東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠的啟用儀式，并透露將在此生產(chǎn)48層堆疊閃存，并計(jì)劃2016財(cái)年(截止到2017年3月底)內(nèi)量產(chǎn)。

　　這種閃存的成本和價(jià)格會(huì)比較高，但是因?yàn)槿萘靠梢宰龅母?，平均價(jià)格反而會(huì)更便宜，可用于從智能手機(jī)、固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心等各種領(lǐng)域，初期主要供應(yīng)持續(xù)增長的數(shù)據(jù)中心。

　　其實(shí)，東芝在今年春天就已經(jīng)開始生產(chǎn)48層閃存了，并預(yù)計(jì)2017財(cái)年3D閃存將占其總產(chǎn)能的50%，2018財(cái)年突破80%。

　　三星則可能會(huì)在2017年下半年啟用位于韓國京畿道平澤市的新工廠，生產(chǎn)自己的64層閃存，但官方尚未明確表態(tài)。