TrendForce：2016年全球閃存高峰會中國廠商能見度快速攀升

　　閃存產(chǎn)業(yè)的指標性展會──2016年全球閃存高峰會(2016 Flash Memory Summit)甫落幕，TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)研究協(xié)理楊文得表示，大會連續(xù)兩年設置中國專場，并由華瀾微電子總裁駱建君博士擔任論壇主持人，顯示出中國市場已成國際關注焦點，中國閃存廠商的話語權與能見度正快速攀升。

　　由于行動裝置需求的快速增長及服務器、數(shù)據(jù)中心的大量建置，中國市場NAND Flash消耗量呈爆發(fā)式增長。

　　DRAMeXchange預估2017年中國市場所消耗的NAND Flash量將占全球30%以上，2020年將占全球逾40%，成為中國大力進軍NAND Flash產(chǎn)業(yè)，積極建立上中下游完整供應鏈的主要原因。

　　楊文得分析，3D-NAND Flash最晚將于2018年超越整體NAND Flash市場的一半，進一步推升固態(tài)硬盤存儲應用的容量與市場規(guī)模，至2020年整體NAND Flash需求將維持每年40%的高增長率，中國巨大的市場發(fā)展?jié)摿荼貛颖姸郚AND Flash廠商投入，未來中國廠商的布局更加火熱。

　　本屆快閃高峰會中國廠商的動態(tài)可從存儲制造、主控芯片與應用市場兩大面向看出其強大的發(fā)展企圖：

　　存儲制造端：武漢新芯為目前中國NAND Flash制造端廠商中最具規(guī)模者，與國際大廠飛索半導體(Spansion)合作發(fā)展3D-NAND Flash，預計2018上半年量產(chǎn)第一世代的3D-NAND產(chǎn)品。今年七月武漢新芯正式與紫光集團成立長江存儲科技公司，將有效整合中國在NAND Flash制造端發(fā)展能量。

　　楊文得表示，為拉近與國際存儲大廠的距離，中國產(chǎn)學界代表也聯(lián)合展示閃存FTL技術及復旦大學的RRAM商業(yè)化嘗試，可見中國在閃存布局有長遠規(guī)劃。

　　主控芯片與應用市場：中國主控芯片廠如華瀾微、憶恒創(chuàng)源與華為等一線大廠皆參與盛會，看準固態(tài)硬盤未來五年快速成長的商機，各廠正強化在固態(tài)硬盤整體存儲設備及PCIe高速接口的研發(fā)能量。

　　此外，為實現(xiàn)建立自主產(chǎn)業(yè)鏈的目標，華瀾微與華為等廠商也展示自主開發(fā)的IP與基礎性結構研究。

　　楊文得進一步表示，近年來中國主控芯片業(yè)者以自主開發(fā)或并購等方式獲取關鍵IP技術的進展速度加快，預期兩年內將有更多NAND Flash主控芯片廠跨國合作與并購。