新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡與存儲 > 業(yè)界動態(tài) > 存儲器需求動能強勁,第四季DRAM合約價有望再漲逾一成

存儲器需求動能強勁,第四季DRAM合約價有望再漲逾一成

作者: 時間:2016-09-06 來源:集微網(wǎng) 收藏

  受到第三季進入旺季需求帶動,、面板等關鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌eXchange(全球半導體觀察)表示,在筆電需求回溫、智能手機延續(xù)強勁成長態(tài)勢與服務器需求增溫帶動下,與NAND Flash第四季價格預計將同步上揚,特別是合約價第四季估將再漲逾一成。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201609/296620.htm

  供應持續(xù)吃緊,DRAM市場至2017年維持健康供需狀態(tài)

  由于今年中國品牌智能手機表現(xiàn)超乎預期,服務器出貨也受惠于中國大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫,下半年臺系服務器代工廠訂單較上半年平均成長近兩成,促使DRAM原廠自第二季開始大幅調(diào)升行動式內(nèi)存與服務器內(nèi)存的產(chǎn)出并調(diào)降標準型內(nèi)存出貨。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,今年第四季行動式內(nèi)存出貨比重將逼近45%,服務器內(nèi)存出貨比重突破25%,標準型內(nèi)存僅剩不到20%。

  然而,從筆電市況來看,第三季北美地區(qū)筆電需求增溫,如惠普與戴爾出貨季增長皆超過8%,造成標準型內(nèi)存供應緊俏,DDR3與DDR4的4GB模組合約價格終于止跌回穩(wěn)并站上13.5美元。在原廠仍維持轉(zhuǎn)進毛利高的行動式內(nèi)存的策略下,DRAMeXchange預估,第四季標準型內(nèi)存價格將持續(xù)上漲,DDR3與DDR4的4GB模組將上看15美元,季漲幅(季均價對季均價)將達15%,整體獲利結(jié)構(gòu)逐步攀升,DRAM市場未來一年都將維持健康的供需狀態(tài)。

  行動式內(nèi)存則持續(xù)受惠于中國智能手機的拉貨需求及新一代iPhone備貨將在第四季達高峰,目前已有部分中國大陸大廠與主要DRAM供貨商訂定的第四季合約漲價超過一成,預期第四季行動式內(nèi)存漲幅也將相當可觀。

  大廠積極搶料,第四季NAND Flash價格維持上漲

  在NAND Flash方面,第三季蘋果與中國智能手機大廠華為、vivo、OPPO等拉貨動能優(yōu)于預期,對整體2D NAND Flash產(chǎn)能消耗十分龐大,尤在NAND Flash原廠轉(zhuǎn)進3D - NAND Flash速度不如預期情況下,供給更為緊俏。此外,企業(yè)級固態(tài)硬盤需求、筆電固態(tài)硬盤搭載率快速提升,同步造成第三季NAND產(chǎn)能缺口。

  受到上述OEM端強大需求,及制程轉(zhuǎn)進不順的影響,讓三星、東芝、閃迪、美光等供貨商,對模組商的供貨水位驟降,模組廠在原廠供貨短缺下只能被迫接受漲價。DRAMeXchange調(diào)查顯示,截至8月下旬,主流128Gb TLC wafer合約均價已較6月底漲10%以上。

  第四季OEM端客戶在不看好非三星陣營3D - NAND Flash的轉(zhuǎn)進進度,擔心導致供應吃緊的預期心理下,已經(jīng)出現(xiàn)Overbooking與Double Booking的搶料動作。DRAMeXchange預估,在智能型手機客戶拉貨力道持續(xù)不墜下,供貨短缺情況料將延續(xù),第四季NAND Flash價格仍維持上漲,而模組廠是否愿大量備貨成為價格漲幅多寡的關鍵。



關鍵詞: 存儲器 DRAM

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉