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2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

作者: 時(shí)間:2016-10-20 來(lái)源:超能網(wǎng) 收藏

  由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈,閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià),這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的,也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目,其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢,投資超過(guò)240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的閃存,而且是32層堆棧的,起點(diǎn)不算低。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201610/311582.htm

  

 

  2015年中,國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工,整個(gè)項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資240億美元,分為三期建設(shè),現(xiàn)在啟動(dòng)的是第一期,主要目標(biāo)是生產(chǎn)閃存,2018年將啟動(dòng)第二期建設(shè),規(guī)劃是上DRAM內(nèi)存芯片,2019年啟動(dòng)第三期建設(shè),主要目標(biāo)是代工服務(wù),產(chǎn)能也會(huì)越來(lái)越大,2020年目標(biāo)是30萬(wàn)片晶圓/月,2030年則是100萬(wàn)片晶圓/月。

  今年7月份的時(shí)候,紫光公司收購(gòu)了新芯科技公司多數(shù)股份,成立了武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限公司(簡(jiǎn)稱TRST),紫光公司控股一半多,董事長(zhǎng)趙偉國(guó)也將擔(dān)任長(zhǎng)江科技公司的董事長(zhǎng),這個(gè)項(xiàng)目就變成了紫光公司主導(dǎo)了——當(dāng)初收購(gòu)美光的夢(mèng)想無(wú)法實(shí)現(xiàn),收購(gòu)西數(shù)硬盤的事也黃了,不過(guò)紫光現(xiàn)在總算可以正式進(jìn)軍存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域了。

  Digitimes援引業(yè)界消息稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司最快2017年底正式推出閃存,32層堆棧結(jié)構(gòu),也就是說(shuō)明年我們就有可能看到真正國(guó)產(chǎn)的閃存芯片了。

  新芯科技現(xiàn)在主要生產(chǎn)NOR閃存,而NAND閃存比NOR閃存技術(shù)難度要高,他們的技術(shù)來(lái)源是飛索半導(dǎo)體(Spansion)公司。考慮到與三星、Hynix、東芝、美光、Intel等公司的技術(shù)差距,國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存32層堆棧的起點(diǎn)不低了,這幾家公司研發(fā)多年,第一代3D閃存也不過(guò)是24層堆棧,32層堆棧的還算是主流,不過(guò)等到明年的時(shí)候,48層甚至64層堆棧的3D閃存恐怕也早就問(wèn)世了。

  

 

  根據(jù)之前的報(bào)道,新芯科技預(yù)計(jì)2018年推出48層堆棧的3D閃存,那時(shí)候雖然還是追不上最頂級(jí)的水平,不過(guò)差距應(yīng)該會(huì)縮小很多,國(guó)產(chǎn)3D閃存還有追趕的機(jī)會(huì)。



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