格羅方德近年發(fā)展歷程梳理 從AMD分拆以后走過哪些路

　　根據(jù)阿聯(lián)酋阿布達比先進技術(shù)投資公司(ATIC)，即現(xiàn)在的穆巴達拉發(fā)展公司(Mubadala)9月發(fā)布的2016年上半年度財務(wù)報表顯示，其半導(dǎo)體技術(shù)事業(yè)分部(主要是Global Foundries)凈虧損達13.5億美元，與2015年上半年相比，凈虧損大幅增長67%，超過2015年，整年虧損13億美元。

　Global Foundries的歷史沿革

　　GlobalFoundries原來是AMD的晶圓部門，在2008年的時候，AMD當(dāng)時的CEO魯毅智(Ruiz)賣掉了AMD自己的晶圓廠，買主是阿布扎比的ATIC。

　　這筆涉及84億美元的交易在成交以后，AMD就將現(xiàn)有的所有芯片制造設(shè)備都將移交給新公司，包括在德國德累斯頓的兩座晶圓廠和相關(guān)資產(chǎn)、知識產(chǎn)權(quán)，以及正在規(guī)劃中的紐約州晶圓廠，總價值約24億美元。同時，AMD現(xiàn)有的大約12億美元債務(wù)也將由新公司承擔(dān)。新公司成立初期主要承擔(dān)AMD處理器和圖形芯片的制造，之后會承接其他半導(dǎo)體企業(yè)的外包訂單。

　　2009年3月2日，一個全新的晶圓廠GlobalFoundries就成立了。

　　2010年1月13日，GLOBALFOUNDRIES收購了新加坡特許半導(dǎo)體。

　　2013年資本支出約45億美元，28 納米制程導(dǎo)入客戶數(shù)已達12家，包括超微及中國大陸手機芯片廠Rockchip等。

　　2013年各制程的營收比重為，45納米以下占56%、55/65納米制程占19%、90納米及0.18微米占19%、0.18微米以下占6%。

　　至2014上半年，8吋晶圓廠訂單滿載，公司看好產(chǎn)業(yè)景氣，決議將旗下新加坡六廠從8吋廠升級為12吋晶圓廠，其設(shè)備來源為2013年買下DRAM廠茂德中科12吋機臺設(shè)備，預(yù)計有6成產(chǎn)能為12吋、40納米產(chǎn)能為8吋，廠房12吋與8吋廠年產(chǎn)能分別為100萬片及30萬片，公司規(guī)劃制程技術(shù)由0.11~0.13微米進階到40納米。其中，12吋將應(yīng)用在LCD驅(qū)動IC、電源管理IC等市場，近兩年資本支出將達10億美元。

　　2014年10月20日，公司收購IBM全球商業(yè)化半導(dǎo)體技術(shù)業(yè)務(wù)，包括其知識產(chǎn)權(quán)、技術(shù)人員及微電子業(yè)務(wù)的所有技術(shù)。另外公司也將在未來10年內(nèi)提供22納米、14納米及10納米之技術(shù)予IBM，主要為IBM供應(yīng)Power處理器。

　　從創(chuàng)建至今，Global Foundries的凈利潤率始終是負數(shù)，2016年上半年更是跌入谷底，達到-54%。正如芯謀研究顧文軍分析，巨大的研發(fā)投入、昂貴的設(shè)備和折舊費用對Global Foundries來說，像滾雪球一般，越來越大。在超過200億美元后，不投入的話，前功盡棄打水漂;再投入仍是盈利無期。Global Foundries實則已陷入一個惡性循環(huán)。

　　作為全球第二大晶圓代工廠，截止至2016年6月30日，Global Foundries資產(chǎn)總額203億美元，負債總額43億美元，權(quán)益負債比約27%，不由讓人對Global Foundries的前景產(chǎn)生擔(dān)憂。

　　而在過去的幾年，Global Foundries雖然位居全球晶圓廠全幾名，但是在制程方面，他其實是逐漸落后于競爭對手，尤其是和第一名臺積電的差距越拉越大，于是在市場上的競爭力優(yōu)勢越發(fā)降低，于是Global Foundries只能求變。

接管IBM制造業(yè)務(wù)，引進新技術(shù)

　　制程落后的Global Foundries除了強攻新技術(shù)，也在過去幾年一直尋求交易，在2014年，他們接管了IBM的半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)，也從IBM取得半導(dǎo)體設(shè)計能力。在這個交易中，IBM給Global foundries公司支付15億美元，作為接盤費用。

　　對于Global Foundries來說，拿下IBM應(yīng)該不在于其工廠，更重要的是IBM所積累的專利和技術(shù)，這有利于他們推進其制程進度，緊跟競爭者。

　　以目前立體鰭式電晶體(3D-FinFET)研發(fā)為例，即可窺探出IBM的研發(fā)能量。為解決過去平面式電晶體漏電流的問題，發(fā)展出立體式的電晶體結(jié)構(gòu)，F(xiàn)inFET(英特爾(Intel)稱之為Tri-Gate)。目前全球在FinFET設(shè)計與制程技術(shù)開發(fā)的競爭中，英特爾仍為領(lǐng)導(dǎo)廠商，而至今可與英特爾一較高下的，非IBM莫屬。

　　IBM與英特爾制程技術(shù)上最大的差異，則是使用絕緣層覆硅(Silicon On Insulator， SOI)基板，雖然SOI基板較英特爾所使用的塊狀基板(Bulk Substrate)成本高出許多，但SOI可大幅減少制程步驟，以及降低操作電壓達到低功耗芯片的制作效益。由此可知，IBM所具有的研發(fā)能力不可小覷，關(guān)于英特爾與IBM的FinFET晶體管剖面圖比較如圖1所示，目前兩種不同的基板各有優(yōu)缺點，誰可勝出，仍需要時間以及市場上的驗證。

　　藉由這一樁合并案，Global Foundries將具有優(yōu)先使用IBM與位于美國紐約州Albany納米科學(xué)暨工程學(xué)院(Colleges of Nanoscale Science and Engineering， CNSE)共同研發(fā)專案結(jié)果的權(quán)利，其中令人矚目的是IBM將與CNSE共同開發(fā)的下世代微影技術(shù)。