英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴重推遲
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去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201610/311806.htm根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品推出時間。
英特爾這項計劃似乎已經(jīng)改變，因為即將到來的服務器處理器Skylake EP不支持3D XPoint。相反，現(xiàn)在看起來第一款支持全新內(nèi)存技術(shù)的服務器系統(tǒng)將在2019年晚些時候推出。
這是非常令人失望的，因為今年年初英特爾傳聞與合作伙伴一起開發(fā)3D XPoint固態(tài)硬盤，其中技術(shù)已經(jīng)測試了很長時間。盡管如此，我們還是希望英特爾可以在消費電子市場，推出采用此新技術(shù)的產(chǎn)品。
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