驅動半橋自舉電路

驅動半橋自舉電路


自舉元件設計
自舉二極管(VD1)和電容(C1)是IR2110在PWM應用時需要嚴格挑選和設計的元器件，應根據(jù)一定的規(guī)則對其進行調(diào)整，使電路工作在最佳狀態(tài)。

在工程應用中，取自舉電容C1>2Qg/(VCC-10-1.5)。式中，Qg為IGBT門極提供的柵電荷。假定自舉電容充電路徑上有1.5V的壓降(包括VD1的正向壓降)，則在器件開
通后，自舉電容兩端電壓比器件充分導通所需要的電壓(10V)要高。

同時，在選擇自舉電容大小時，應綜合考慮懸浮驅動的最寬導通時間ton(max)和最窄導通時間ton(min)。導通時間既不能太大影響窄脈沖的驅動性能，也不能太小而影響寬脈沖的驅動要求。根據(jù)功率器件的工作頻率、開關速度、門極特性對導通時間進行選擇，估算后經(jīng)調(diào)試而定。

VD1主要用于阻斷直流干線上的高壓，其承受的電流是柵極電荷與開關頻率之積。為了減少電荷損失，應選擇反向漏電流小的二極管。