IGBT基本結(jié)構(gòu)及電路圖 作者： 時(shí)間：2016-11-16 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫(kù)查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> IGBT實(shí)在BDMOS型功率場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。在VDMOS結(jié)構(gòu)的漏極側(cè)N+層下，增加一個(gè)P+層發(fā)射極而行程pn，如圖1-31所示，就構(gòu)成IGBT。
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