DRAM戰(zhàn)國時代 長江存儲、聯(lián)電、合肥長芯三大勢力將對決

　　近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設立12寸廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產，并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長芯，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當大陸DRAM產業(yè)龍頭。

　　盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術，由于門檻較高，長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠，然值得注意的是，全球存儲器產業(yè)將率先上演大陸力爭DRAM主導權戲碼。

　　目前大陸DRAM勢力處于戰(zhàn)國時代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長江存儲之外，還有聯(lián)電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。

　　長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統(tǒng)籌3D NAND和DRAM兩大存儲器技術發(fā)展，然大陸政府傳出針對長江存儲DRAM布局進行規(guī)范，若是自行研發(fā)DRAM技術必須先量產3D NAND，但若對外購買技術則無此限制，使得長江存儲積極與國際大廠合作，以加速DRAM量產，并獲得專利保護傘。

　　長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術專利授權，業(yè)界亦傳出正著手評估自建或并購現(xiàn)有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設立12寸晶圓廠，長江存儲執(zhí)行長楊士寧則表示，將以并購現(xiàn)有晶圓廠為第一考量。

　　近期武漢新芯12寸新廠已經動起來，單月產能規(guī)劃30萬片，涵蓋NAND Flash和DRAM芯片，然業(yè)界預期長江存儲兩大產品線的生產基地，最終仍會分開進行。至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發(fā)自制，希望搶在長江存儲之前先量產DRAM技術，以爭取大陸DRAM產業(yè)寶座。

　　聯(lián)電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經動工，預計2018年進入量產，業(yè)界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯(lián)電在南科廠同時進行25、30nm技術研發(fā)，預計2017年底完成技術開發(fā)，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時聯(lián)電南科廠DRAM技術將快速轉到福建晉華量產。

　　盡管福建晉華至少要投入25nm以下制程技術，才有機會獲得大陸官方青睞，但聯(lián)電采取較謹慎作法，避免一下子投入25nm技術開發(fā)面臨失敗風險，遂同時研發(fā)30nm作為備案。

　　大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長芯，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關存儲器IC設計，然近期業(yè)界傳出該陣營將豪擲逾新臺幣1000億元，同時進行DRAM研發(fā)和制造，但此一作法可能有IP侵權的風險。

　　目前大陸這三股DRAM勢力持續(xù)進行招兵買馬，并雙頭并進朝向技術專利授權及自主技術研發(fā)模式發(fā)展，希望趁著大陸DRAM主導權還未底定之前先卡好位，預期2018年這三大DRAM陣營將力拼量產并陷入激戰(zhàn)。