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中芯國際正式出樣40nm ReRAM芯片

作者: 時間:2017-01-17 來源:電子工程世界 收藏

  目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當中,除了3D XPoint芯片外還有芯片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與達成合作,發(fā)力中國市場。其中,將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)芯片。近日,兩者合作的結(jié)晶終于誕生,正式出樣40nm工藝的芯片。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201701/342954.htm

  據(jù)介紹,這種芯片比NAND芯片性能更強,密度比DRAM內(nèi)存高40倍,讀取速度快100倍,寫入速度快1000倍,耐久度高1000倍,單芯片(200mm2左右)即可實現(xiàn)TB級存儲,還具備結(jié)構(gòu)簡單、易于制造等優(yōu)點。

  另外,按計劃更先進的28nm工藝ReRAM芯片也將在2017年上半年問世。



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