耗費(fèi)巨資購(gòu)買(mǎi)EUV光刻機(jī) 臺(tái)積電有何打算？

　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，艾司摩爾(ASML)上周公布上季財(cái)報(bào)亮眼，并宣布已接到新一代極紫外光(EUV)微影機(jī)臺(tái)六部訂單，有分析師推測(cè)，臺(tái)積電可能訂走了其中五臺(tái)，即一口氣買(mǎi)下5.5億美元的設(shè)備。

　　EUV機(jī)臺(tái)每臺(tái)價(jià)值1.1億美元。研究半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者的Summit Redstone Partners分析師耶爾(Jagadish Iyer)說(shuō)：“我們相信他們(ASML)處于轉(zhuǎn)折點(diǎn)，除非相信技術(shù)已經(jīng)成熟，沒(méi)有業(yè)者會(huì)同時(shí)買(mǎi)下每臺(tái)1.1億美元的機(jī)臺(tái)?！彼J(rèn)為是一口氣訂購(gòu)五臺(tái)的客戶是臺(tái)積電。

　　半導(dǎo)體顧問(wèn)公司(SA)半導(dǎo)體分析師梅爾(RobertMaire)估計(jì)，ASML今年12部EUV機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能已滿載。耶爾認(rèn)為，今年半導(dǎo)體設(shè)備支出可能超過(guò)業(yè)界預(yù)測(cè)的350億美元，他說(shuō)，三星電子為奪回臺(tái)積電的訂單，將會(huì)設(shè)法趕上并爭(zhēng)取半導(dǎo)體的生意。

　　臺(tái)積電為什么要耗費(fèi)巨資購(gòu)買(mǎi)EUV光刻機(jī)?

　　我們都知道半導(dǎo)體工藝越先進(jìn)越好，用以衡量工藝進(jìn)步的就是線寬，常說(shuō)的xx nm工藝就代表這個(gè)，這個(gè)數(shù)字越小就代表晶體管越小，晶體管密度就越大?，F(xiàn)在半導(dǎo)體公司已經(jīng)進(jìn)軍10nm工藝，但面臨的物理限制越來(lái)越高，半導(dǎo)體工藝提升需要全新的設(shè)備。EUV極紫外光刻機(jī)就是制程突破10nm及之后的7nm、5nm工藝的關(guān)鍵。因此臺(tái)積電對(duì)EUV那么捉急。

　　而在這些工藝上的快讀推進(jìn)，謀求領(lǐng)先，也是臺(tái)積電那么積極購(gòu)買(mǎi)EUV的原因之一。

　　臺(tái)積電聯(lián)系CEO劉德音在2016年的某個(gè)會(huì)議上公布了TSMC的2020路線圖，認(rèn)為EUV光刻工藝在2020年時(shí)能有效降低量產(chǎn)5nm工藝的成本，TSMC計(jì)劃在5nm節(jié)點(diǎn)上應(yīng)用EUV工藝以提高密度、簡(jiǎn)化工藝并降低成本。

　　目前TSMC公司已經(jīng)在7nm節(jié)點(diǎn)研發(fā)上使用了EUV工藝，實(shí)現(xiàn)了EUV掃描機(jī)、光罩及印刷的工藝集成。TSMC表示目前他們有4臺(tái)ASML公司的NX:3400光刻機(jī)在運(yùn)行，2017年Q1季度還會(huì)再購(gòu)買(mǎi)2臺(tái)。

　　之前有報(bào)道稱(chēng)三星也購(gòu)買(mǎi)了ASML公司的量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)，目的是在2017年加速7nm工藝量產(chǎn)。

　　EUV是新一代半導(dǎo)體工藝突破的關(guān)鍵，但進(jìn)展一直比較緩慢，至少比三星、TSMC兩家的嘴炮慢得多——早前TSMC宣稱(chēng)在2016年的10nm節(jié)點(diǎn)就能用上EUV工藝，之后又說(shuō)7nm節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)EUV工藝，但現(xiàn)實(shí)情況并沒(méi)有這么樂(lè)觀，現(xiàn)在他們的說(shuō)法也是2020年的5nm節(jié)點(diǎn)，跟Intel的預(yù)計(jì)差不多了。

　　TSMC表示他們的10nm工藝已經(jīng)有三個(gè)客戶完成流片，雖然沒(méi)公布客戶名稱(chēng)，但用得起10nm工藝的芯片也就是蘋(píng)果A10、聯(lián)發(fā)科X30(被海思、展訊刺激的聯(lián)發(fā)科在X30上爆發(fā)了)以及海思新一代麒麟處理器，流片的估計(jì)就是這三家了。

　　TSMC表示今年底之前還會(huì)有更多客戶的10nm芯片流片，該工藝將在2017年Q1季度量產(chǎn)。

　　至于7nm，TSMC表示他們已經(jīng)提前256Mb SRAM芯片，進(jìn)展順利，CEO表示相信TSMC的7nm工藝在PPA密度、功耗及性能方面要比對(duì)手更出色，已經(jīng)有高性能客戶預(yù)計(jì)在2017年上半年流片，正式量產(chǎn)則是在2018年。

　　至于5nm，臺(tái)積電表示，在制程基地塵埃落定后，最快今年就可動(dòng)工，目標(biāo)則是要在2020年量產(chǎn)，屆時(shí)將有望甩開(kāi)三星與英特爾，獨(dú)步全球。

　　臺(tái)積電南科廠目前主力制程為16納米，后續(xù)10納米及7納米則是放在中科，而接續(xù)的5納米制程將會(huì)由南科廠來(lái)?yè)?dān)綱。臺(tái)積電廠務(wù)處處長(zhǎng)莊子壽表示，5 納米制程為未來(lái)2~3 年的計(jì)畫(huà)，目前仍在發(fā)展中。而關(guān)于廠區(qū)部分，則是規(guī)劃占地約40 公頃，投資金額上千億元，待臺(tái)積電董事會(huì)通過(guò)后就會(huì)啟動(dòng)，最快今年將動(dòng)工。

　　據(jù)悉，南科環(huán)差案能順利通過(guò)的原因，是因?yàn)槟峡瞥兄Z未來(lái)將采用每日3.25噸的再生水取代農(nóng)業(yè)用水，包括永康再生水的1.25萬(wàn)噸及日后臺(tái)積電將投資20億元自設(shè)再生水廠，供應(yīng)2萬(wàn)噸再生水，供5納米制程使用。

　　環(huán)評(píng)委員李育明表示，南科環(huán)差案自2014年底，歷經(jīng)2年審查。因臺(tái)積電更新半導(dǎo)體制程，需增加用水用電量，因此依規(guī)定須辦理環(huán)差變更，如今環(huán)保署順利通過(guò)南科環(huán)差案，也讓臺(tái)積電在未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)布局上再下一城，又往前推進(jìn)一步。

　　臺(tái)積電自去年底陸續(xù)斬獲好消息，在晶圓代工方面仍穩(wěn)居龍頭寶座，市占率逼近六成，大幅領(lǐng)先格羅方德的11%與聯(lián)電的9%。而半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)ICinsights更看好晶圓代工將在2021年達(dá)到721億美元的市場(chǎng)，對(duì)身為該領(lǐng)域龍頭的臺(tái)積電來(lái)說(shuō)將是一大利多。

　　從近期“戰(zhàn)況”來(lái)看，在10納米制程上，臺(tái)積電已趕在去年Q4進(jìn)入量產(chǎn)階段，最快今年Q1就可挹注營(yíng)收。而三星進(jìn)度則是與之不相上下，至于去年靜悄悄的英特爾則是在今年CES展前記者會(huì)上才推出10納米產(chǎn)品。但是業(yè)界仍看好臺(tái)積電在良率穩(wěn)定度上的優(yōu)勢(shì)，且在產(chǎn)能上亦具有經(jīng)濟(jì)規(guī)模優(yōu)勢(shì)，因此臺(tái)積電仍將在10納米市場(chǎng)上技高一籌。

　　至于7納米布局，臺(tái)積電則是狠狠甩開(kāi)三星，據(jù)傳將在今年Q1正式展開(kāi)試產(chǎn)。據(jù)了解，目前臺(tái)積電7納米試投片情況十分順利，包括賽靈思(Xilinx)、英偉達(dá)(NVIDIA)均將采用外，高通(Qualcomm)也傳出將在7納米重回臺(tái)積電投片。

　　而業(yè)界則預(yù)估，臺(tái)積電7納米將在2018年正式進(jìn)入量產(chǎn)，屆時(shí)將正式超越英特爾(Intel)7納米量產(chǎn)時(shí)程超過(guò)兩年。早前英特爾因征才啟示意外透露該公司可能于2021年才進(jìn)行7納米量產(chǎn)，也就是說(shuō)，若臺(tái)積電5納米順利在2020年量產(chǎn)，這將使臺(tái)積電一舉超越勁敵英特爾，并將其推上在先進(jìn)芯片科技上的領(lǐng)導(dǎo)地位。