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英特爾:下一代酷睿仍采用14nm性能已等于三星10nm

作者: 時(shí)間:2017-02-14 來(lái)源:雷鋒網(wǎng) 收藏

  2月10日,在投資者會(huì)議上正式發(fā)布了第8代酷睿處理器,將于今年下半年亮相。遺憾的是,第8代酷睿處理器并沒(méi)有采用傳聞中的10nm工藝,而是依舊沿用工藝,稱之為“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”。雖然采用的仍然是老工藝,但是表示,第8代酷睿的性能將比Kaby Lake提升15%。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201702/343939.htm

  據(jù)悉,數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程,也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上,CEO柯再奇曾表示,搭載10nm芯片筆記本產(chǎn)品會(huì)在今年底出貨。

  雖然三星、臺(tái)積電都已經(jīng)研發(fā)出工藝,并且成功量產(chǎn)。但是英特爾表示自己的工藝和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的10nm工藝同樣優(yōu)秀,領(lǐng)先對(duì)手整整三年。

  根據(jù)英特爾在投資者會(huì)議上公開(kāi)的PPT,其2014年研發(fā)出來(lái)的第一代14nm FinFET(即Broadwell所用)和三星以及臺(tái)積電的10nm工藝看齊。

  此外,根據(jù)英特爾高級(jí)院士Mark Bohr的說(shuō)法,英特爾10nm工藝的柵極間距是54nm,是同時(shí)代10nm最強(qiáng)。

  據(jù)悉,Intel 10nm Cannon Lake的性能提升在50%以上。如果傳言屬實(shí),那么英特爾的10nm是否能夠?qū)?biāo)三星和臺(tái)積電的7nm工藝呢?



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