發(fā)展3D NAND閃存的意義

作者/ 迎九 《電子產(chǎn)品世界》編輯

摘要：“首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。

存儲器產(chǎn)業(yè)應用及競爭格局

　　存儲器是具備可以儲存圖像數(shù)據(jù)或文字數(shù)據(jù)、程序等信息，在必要時取出的功能的器件。從半導體存儲器技術的分類來看，目前DRAM和NAND閃存的總產(chǎn)值占全球存儲器產(chǎn)業(yè)的95%(圖1)。IBS數(shù)據(jù)預計，未來十年NAND閃存的需求量還將持續(xù)增長10倍(圖2)，主要應用在云計算、物聯(lián)網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心等領域。

　　2016年三星電子在DRAM和NAND閃存的市場份額同時占據(jù)第一位(圖3)，可見產(chǎn)品集中度越來越高。因此，存儲器市場亟需打破現(xiàn)狀。對于長江存儲來說，現(xiàn)在是一個“最好”的時間點，有一些海外企業(yè)找到長江存儲，希望與長江存儲合作，以便為市場帶來更多選擇。

為什么選擇3D NAND?

　　據(jù)統(tǒng)計，在全球存儲器市場中，55%的市場需求在中國。國家大基金的成立，使中國在資金和政策方面對技術和產(chǎn)能積累給予最大支持，同時在人才匯聚、國際合作的機遇和產(chǎn)業(yè)生態(tài)支持方面，中國正面臨最好的時期。國內(nèi)在主流IC領域已經(jīng)沒有什么更好的切入點，存儲器是機會。中國IC設計和制造快速崛起，但是在先進IC的制造領域，中國市占率僅為5%～10%。因為IC制造在中國是很困難的行業(yè)，研發(fā)投入巨大(如圖4)、快速發(fā)展的技術及市場變化、芯片無關稅/沒有成本優(yōu)勢是最大原因。

　　要想創(chuàng)業(yè)成功，找對人、砸對錢和做對事是三個必要條件。首先，要有實干精神，有胸懷和勇氣，更要有創(chuàng)業(yè)成功的經(jīng)驗。其次，應把更多投資放在先進技術和有經(jīng)濟效益的領域，在中國大力發(fā)展集成電路時期，如何做好自主可控、持續(xù)發(fā)展非常重要。最后，在國際化的體制下，如何通過市場化的競爭，集結全國資源，聚集全球人才，通過自主研發(fā)與國際合作相結合，抓住每一個并購投資的機遇極為關鍵。長江存儲大規(guī)模投資建廠仿佛“陣地戰(zhàn)”，每個極為可能的并購機會將成為“運動戰(zhàn)”，做好“陣地戰(zhàn)”與“運動戰(zhàn)”相結合，才更有機會成功。

　　因而，從企業(yè)需求、外部機遇和市場動力來看，3D NAND是長江存儲有機會成功突破的技術領域。3D NAND閃存在性能、容量、可靠性、成本等方面有全面性的優(yōu)勢，而堆棧層數(shù)也是3D NAND閃存一個重要指標(圖5)。

怎樣去做3D NAND?

　　從NAND閃存市場和技術動態(tài)來看，全球存儲器公司的3D NAND產(chǎn)品都在積極準備中，2018年將會有更多64層3D NAND的產(chǎn)品量產(chǎn)上市。大家都有設備折舊的壓力，長江存儲并不擔心，只要全力解決技術問題即可。長江存儲的目標是在折舊期內(nèi)實現(xiàn)盈利。在產(chǎn)品方面，目前3D NAND面臨的技術挑戰(zhàn)還有很多，在工藝上會有很大改變，工藝和器件上也會遇到挑戰(zhàn)。長江存儲不會簡單地跟隨行業(yè)的腳步，將通過跳躍式發(fā)展，目標在2019年實現(xiàn)與世界前沿差半代技術，2020年追趕上領先技術，與世界并行。

未來是否發(fā)展DRAM?

　　DRAM和NAND都應該做，因為以后的模組有些是NAND+DRAM。但作為一門生意，DRAM有兩個增加的難度：一方面是競爭對手手里仍有大量折舊完的產(chǎn)能存在，2D NAND也是如此;另一方面，現(xiàn)階段DRAM市場的增長需求變得相對緩慢，很難實現(xiàn)經(jīng)濟效益。所以現(xiàn)階段，長江存儲不會做沒有經(jīng)濟效益的產(chǎn)能擴充，更會選擇機遇尋找并購，以進一步實現(xiàn)DRAM產(chǎn)能的擴充。目前，長江存儲的32層3D NAND產(chǎn)品進展順利，電氣特性等各項指標非常好。2019年工廠將實現(xiàn)產(chǎn)能滿載，對公司來說壓力巨大。

參考文獻：

　　[1]王瑩.武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND.電子產(chǎn)品世界,2014(1):26

　　[2]郭祚榮.2016年全球DRAM市場與趨勢分析.電子產(chǎn)品世界,2016(8):3-5

　　[3]邢雁寧.中國半導體存儲器市場前景.電子產(chǎn)品世界,2016(7):4-7

　　[4]葉鐘靈.移動產(chǎn)品牽引移動存儲器.電子產(chǎn)品世界,2014(10):3-6

　　[5]王金旺.Micron：新閃存和高速解決方案助數(shù)據(jù)中心進一步提速.電子產(chǎn)品世界,2016(6):84

本文來源于《電子產(chǎn)品世界》2017年第2期第6頁，歡迎您寫論文時引用，并注明出處。