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發(fā)展3D NAND閃存的意義

作者:迎九 時(shí)間:2017-02-28 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
編者按:“首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開,長江存儲集團(tuán)公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法,及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。

作者/ 迎九 《電子產(chǎn)品世界》編輯

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201702/344558.htm

摘要:“首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開,長江存儲集團(tuán)公司CEO楊士寧介紹了對市場的看法,及選擇閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。

產(chǎn)業(yè)應(yīng)用及競爭格局

  是具備可以儲存圖像數(shù)據(jù)或文字?jǐn)?shù)據(jù)、程序等信息,在必要時(shí)取出的功能的器件。從半導(dǎo)體存儲器技術(shù)的分類來看,目前和NAND閃存的總產(chǎn)值占全球存儲器產(chǎn)業(yè)的95%(圖1)。IBS數(shù)據(jù)預(yù)計(jì),未來十年NAND閃存的需求量還將持續(xù)增長10倍(圖2),主要應(yīng)用在云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

  2016年三星電子在和NAND閃存的市場份額同時(shí)占據(jù)第一位(圖3),可見產(chǎn)品集中度越來越高。因此,存儲器市場亟需打破現(xiàn)狀。對于長江存儲來說,現(xiàn)在是一個(gè)“最好”的時(shí)間點(diǎn),有一些海外企業(yè)找到長江存儲,希望與長江存儲合作,以便為市場帶來更多選擇。

為什么選擇?

  據(jù)統(tǒng)計(jì),在全球存儲器市場中,55%的市場需求在中國。國家大基金的成立,使中國在資金和政策方面對技術(shù)和產(chǎn)能積累給予最大支持,同時(shí)在人才匯聚、國際合作的機(jī)遇和產(chǎn)業(yè)生態(tài)支持方面,中國正面臨最好的時(shí)期。國內(nèi)在主流IC領(lǐng)域已經(jīng)沒有什么更好的切入點(diǎn),存儲器是機(jī)會。中國IC設(shè)計(jì)和制造快速崛起,但是在先進(jìn)IC的制造領(lǐng)域,中國市占率僅為5%~10%。因?yàn)镮C制造在中國是很困難的行業(yè),研發(fā)投入巨大(如圖4)、快速發(fā)展的技術(shù)及市場變化、芯片無關(guān)稅/沒有成本優(yōu)勢是最大原因。

  要想創(chuàng)業(yè)成功,找對人、砸對錢和做對事是三個(gè)必要條件。首先,要有實(shí)干精神,有胸懷和勇氣,更要有創(chuàng)業(yè)成功的經(jīng)驗(yàn)。其次,應(yīng)把更多投資放在先進(jìn)技術(shù)和有經(jīng)濟(jì)效益的領(lǐng)域,在中國大力發(fā)展集成電路時(shí)期,如何做好自主可控、持續(xù)發(fā)展非常重要。最后,在國際化的體制下,如何通過市場化的競爭,集結(jié)全國資源,聚集全球人才,通過自主研發(fā)與國際合作相結(jié)合,抓住每一個(gè)并購?fù)顿Y的機(jī)遇極為關(guān)鍵。長江存儲大規(guī)模投資建廠仿佛“陣地戰(zhàn)”,每個(gè)極為可能的并購機(jī)會將成為“運(yùn)動戰(zhàn)”,做好“陣地戰(zhàn)”與“運(yùn)動戰(zhàn)”相結(jié)合,才更有機(jī)會成功。

  因而,從企業(yè)需求、外部機(jī)遇和市場動力來看,是長江存儲有機(jī)會成功突破的技術(shù)領(lǐng)域。3D NAND閃存在性能、容量、可靠性、成本等方面有全面性的優(yōu)勢,而堆棧層數(shù)也是3D NAND閃存一個(gè)重要指標(biāo)(圖5)。

怎樣去做3D NAND?

  從NAND閃存市場和技術(shù)動態(tài)來看,全球存儲器公司的3D NAND產(chǎn)品都在積極準(zhǔn)備中,2018年將會有更多64層3D NAND的產(chǎn)品量產(chǎn)上市。大家都有設(shè)備折舊的壓力,長江存儲并不擔(dān)心,只要全力解決技術(shù)問題即可。長江存儲的目標(biāo)是在折舊期內(nèi)實(shí)現(xiàn)盈利。在產(chǎn)品方面,目前3D NAND面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)還有很多,在工藝上會有很大改變,工藝和器件上也會遇到挑戰(zhàn)。長江存儲不會簡單地跟隨行業(yè)的腳步,將通過跳躍式發(fā)展,目標(biāo)在2019年實(shí)現(xiàn)與世界前沿差半代技術(shù),2020年追趕上領(lǐng)先技術(shù),與世界并行。

未來是否發(fā)展?

  DRAM和NAND都應(yīng)該做,因?yàn)橐院蟮哪=M有些是NAND+DRAM。但作為一門生意,DRAM有兩個(gè)增加的難度:一方面是競爭對手手里仍有大量折舊完的產(chǎn)能存在,2D NAND也是如此;另一方面,現(xiàn)階段DRAM市場的增長需求變得相對緩慢,很難實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益。所以現(xiàn)階段,長江存儲不會做沒有經(jīng)濟(jì)效益的產(chǎn)能擴(kuò)充,更會選擇機(jī)遇尋找并購,以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)DRAM產(chǎn)能的擴(kuò)充。目前,長江存儲的32層3D NAND產(chǎn)品進(jìn)展順利,電氣特性等各項(xiàng)指標(biāo)非常好。2019年工廠將實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載,對公司來說壓力巨大。

參考文獻(xiàn):

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本文來源于《電子產(chǎn)品世界》2017年第2期第6頁,歡迎您寫論文時(shí)引用,并注明出處。



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