大陸半導(dǎo)體奮起直追 材料及設(shè)備行業(yè)期待更多突破
(2)半導(dǎo)體光掩膜版國內(nèi)處于發(fā)展前期
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201703/345163.htm光掩模板可根據(jù)應(yīng)用分為平板顯示、觸摸屏和 IC 掩模板( photomask)。在平板顯示、觸摸屏、半導(dǎo)體制備過程中,版圖是設(shè)計與工藝制造之間的接口,觸摸屏、顯示屏及集成電路制造商要將版圖的圖形轉(zhuǎn)移到玻璃基板或晶元上,必須經(jīng)過制版過程,即產(chǎn)生一套分層的版圖光刻掩膜版,從而為后續(xù)的圖形轉(zhuǎn)化(光刻和刻蝕)做準備。
光掩膜版的主要用途
光掩膜版的產(chǎn)業(yè)鏈
根據(jù) SEMI, 目前全球半導(dǎo)體光刻掩膜版市場規(guī)模近 34 億美元,即 210 億人民幣。未來光刻掩膜版市場增長速度將在 5%左右。
由于掩膜版是設(shè)計和制造的重要銜接,晶圓制造廠商都有自己的專業(yè)工廠來生產(chǎn)自身需要的掩膜版,因此先進的掩膜版技術(shù)也是掌握在具有先進晶圓制造制程的晶圓廠手中。但近年來掩膜版外包的趨勢非常的明顯,特別是對于一些 60nm 及 90nm 以上制程的低端產(chǎn)品。 外包的掩膜版市場份額從2003 年時的 30%上升至 2014 年的 53%。
掩膜版外包趨勢明顯
半導(dǎo)體光掩模市場集中度高, 寡頭壟斷嚴重, Photronics、大日本印刷株式會社 DNP 和日本凸版印刷株式會社 Toppan 三家占據(jù) 80%以上的市場份額。
半導(dǎo)體光掩膜市場高度集中
Photronics 作為全球領(lǐng)先的掩膜版廠商,主要生產(chǎn) 60nm 及以上制程的光罩。由于掩膜版行業(yè)所需要的核心設(shè)備光刻機目前仍然是進口為主,并且高度壟斷,單價一般超過 1000萬元,高端設(shè)備甚至超過 1 億元,并且交貨周期較長,導(dǎo)致了我國掩膜版生產(chǎn)廠商對于充產(chǎn)能較為謹慎,限制了行業(yè)的發(fā)展。
掩膜版由海外壟斷,并且由于上游基板材料成本占比 90%,生產(chǎn)廠家都不斷向上游延伸,部分已經(jīng)具備了研磨、拋光、鍍鉻、涂膠等全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)能力。
目前國內(nèi)除了晶圓代工廠以外, 掩膜版廠商主要分為兩類:第一類是科研院所, 包括中科院微電子中心,中國大陸電子科技集團第 13 所、 24 所、 47 所、 55 所等;第二類是專業(yè)的掩膜版制造廠商,主要有路維光電(新三板上市)、深圳清溢光電(中小板掛牌)等。
掩膜版中主要企業(yè)生產(chǎn)鏈情況
(3)光刻膠海外壟斷
光刻膠又稱光致抗蝕劑, 將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面頂層的光刻膠中,并在后續(xù)工序中,保護下面的材料(刻蝕或離子注入) 。 光刻膠由感光樹脂、光引發(fā)劑、添加劑、溶劑等組成, 其中,感光樹脂是光刻膠作用的關(guān)鍵組分。
光刻膠按應(yīng)用可分為三個部分: PCB 光刻膠, LCD 光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠,其中用于集成電路制造的半導(dǎo)體光刻膠約占光刻膠市場的 1/4。
全球半導(dǎo)體光刻膠約占光刻膠市場的 1/4
中國大陸半導(dǎo)體光刻膠僅占光刻膠市場的 2%
波長越短,光刻分辨率越高, 為了滿足不斷縮小的集成電路線寬, 光刻膠的波長也由紫外 g 線(436nm)、 i 線( 365nm) 逐漸向深紫外 KrF( 248nm ) ArF(193nm)方向發(fā)展。 2010 年后,還陸續(xù)出現(xiàn)了更為高端的超紫外光刻膠、電子束光刻膠、極紫外光刻膠等。
全球光刻膠市場規(guī)模
全球半導(dǎo)體光刻膠的核心技術(shù)基本掌握在美國和日本手中。
國內(nèi)集成電路光刻膠主要以紫外光刻膠為主,超大規(guī)模集成電路用深紫外 248nm KrF 和 193nmArF 需求量也在增加,但自給率很低。
紫外正性光刻膠( g/i 線)產(chǎn)業(yè)分布
由于海外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展更成熟, 半導(dǎo)體光刻膠市場也基本被外國壟斷, 美國、日本、歐洲、韓國等。 JSR、信越化學(xué)、 TOK、陶氏化學(xué)屬于行業(yè)巨頭。
深紫外光刻膠( 248nm+193nm )產(chǎn)業(yè)分布
國內(nèi)從事光刻膠和配套化學(xué)產(chǎn)品研究、開發(fā)、生產(chǎn)的廠商非常少。與海外的差距主要原因:一方面,高端光刻膠樹脂合成及光敏劑合成技術(shù)與海外相比有一定差距;另一方面,高端光刻膠的研究需要價格較高的曝光機和檢測設(shè)備,小企業(yè)無法承受。此外,由于光刻膠所應(yīng)用的電子行業(yè)與軍工關(guān)系密切,導(dǎo)致國外對高端技術(shù)封鎖。
目前國內(nèi)在光刻膠領(lǐng)域較為領(lǐng)先的企業(yè)僅北京科華(南大光電參股子公司)和蘇州瑞紅
光刻膠行業(yè)國產(chǎn)化進程
(4)CMP 拋光海外壟斷 國內(nèi)實現(xiàn)突破
CMP 拋光即化學(xué)機械拋光, 主要應(yīng)用于藍寶石拋光和集成電路中的硅晶片拋光。 CMP 是目前幾乎唯一的可以提供硅片全局平面化的技術(shù)。
拋光的主要耗材包括拋光墊、拋光液、金剛石盤、拋光頭、清洗刷、化學(xué)清洗劑。
拋光磨料的種類、物理化學(xué)性質(zhì)、粒徑大小、顆粒分散度及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。此外,拋光墊的屬性(如材料、平整度等)也極大地影響了化學(xué)機械拋光的效果。
CMP 拋光材料及拋光墊的主要用
根據(jù) Semi 數(shù)據(jù), 2015 年全球 CMP 拋光耗材的市場空間近 30 億美金,其中 80%以上為拋光墊和拋光液兩種耗材。
國際主流拋光墊廠家有陶氏、卡博特、日本東麗、3M 等,其中陶氏在拋光墊市場占有率高達 90%。國內(nèi)僅鼎龍股份經(jīng)過長期的研發(fā),即將于今年年中實現(xiàn)投產(chǎn)。
CMP 拋光墊的競爭格局
而全球拋光液市場集中在卡博特、杜邦、 Fujimi 等廠商中。 安集微電子(上海)有限公司是我國從事集成電路用 CMP 拋光液業(yè)務(wù)的主要企業(yè),公司生產(chǎn)的銅/銅阻擋層拋光液已成功進入國內(nèi)外 12 英寸客戶芯片生產(chǎn)線使用,主要產(chǎn)品已經(jīng)進入領(lǐng)先的技術(shù)節(jié)點,包括 45nm、 40nm 及以下技術(shù)節(jié)點,產(chǎn)品性能達到國際領(lǐng)先水平,并具有成本優(yōu)勢,打破了國外廠商在高端集成電路制造拋光材料領(lǐng)域的壟斷。上海新安納在拋光液用磨料和存儲器拋光液等產(chǎn)品開發(fā)方面取得較好進展。
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