東芝面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動的100V N溝道功率MOSFET
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東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動的100V N溝道功率MOSFET，以此擴(kuò)大其低電壓N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品陣容。“U-MOS VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產(chǎn)品出貨即日啟動。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201703/345535.htm隨著快速充電器的普及和發(fā)展，市場需要更高性能的用于次級側(cè)整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結(jié)構(gòu)工藝，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻和高速性能。該結(jié)構(gòu)降低了“RDS(ON) * Qsw”[2]的性能指標(biāo)，改善了開關(guān)應(yīng)用。通過減小輸出電荷，實現(xiàn)輸出損耗改善，有助于提高裝置效率。而且，對4.5V邏輯電平驅(qū)動的支持使控制器IC無緩沖驅(qū)動成為可能，有助于降低系統(tǒng)功耗。此外，這些新產(chǎn)品可應(yīng)對USB 3.0相關(guān)應(yīng)用所需的高輸出和高電壓電源。新的MOSFET適合于一系列應(yīng)用，包括服務(wù)器和通信設(shè)備所需的快速充電器、開關(guān)式電源以及直流-直流轉(zhuǎn)換器等。
新MOSFET的主要特性：
主要特性
·支持4.5V邏輯電平驅(qū)動
·支持低導(dǎo)通電阻和高速性能的業(yè)界領(lǐng)先[1]產(chǎn)品
Notes
[1] In the category of products with the same ratings, as of January 11, 2017. Toshiba survey.
[2] RDS(ON) ：漏源極導(dǎo)通電阻
Qsw：柵極開關(guān)電荷
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